[發明專利]一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝

在審

• 申請號: 202011055282.7
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112185857A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 王健
• 申請（專利權）人: 王健
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C25D5/00;C25D7/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，將需要噴淋的硅晶圓取出放置于搖擺機構下方的放置槽內，所述硅晶圓的正面朝向噴淋頭；在所述搖擺機構的帶動下所述噴淋頭開始在所述硅晶圓上方做往復運動，所述搖擺機構帶動所述噴淋頭往復運動的速度為30±5次/分鐘，所述噴淋頭噴淋的水霧具體呈扇形；進一步的所述噴淋頭開始向所述硅晶圓噴淋水，所述噴淋頭噴出水的流量具體為1升/分鐘，所述噴淋頭噴出水的水壓具體為0.3±0.05MPa；當噴淋一段時間后停止噴淋工序，將硅晶圓取走放置于指定位置處工作結束。本發明提供一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，提高了噴淋效率，提高了硅晶圓的潤濕效果，提高了后段電鍍的品質。

技術領域

本發明涉及硅晶圓生產領域，具體涉及一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝。

背景技術

硅晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅，在生產過程中需要對硅晶圓進行電鍍工序，在電鍍工序前需要將硅晶圓上的淺孔潤濕，方便藥水進入淺孔內，最終確保在淺孔內電鍍上銅，從而保證硅晶圓可以正常使用。

現在在對硅晶圓直接進行電鍍工藝之前首先需要對硅晶圓進行噴淋，但是硅晶圓上面有幾十萬個淺孔，在噴淋過程中由于水的本身特性，水不能進入部分淺孔內，對硅晶圓的潤濕效果差，影響了后續電鍍工藝的品質。

發明內容

本發明的目的是：提供一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，解決以上問題。

為了實現上述目的，本發明提供如下的技術方案：

一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，其特征在于：其制作方法為：

a)首先將需要噴淋的硅晶圓取出放置于搖擺機構下方的放置槽內，所述硅晶圓的正面朝向噴淋頭；

b)在所述搖擺機構的帶動下所述噴淋頭開始在所述硅晶圓上方做往復運動，所述搖擺機構帶動所述噴淋頭往復運動的速度為30±5次/分鐘，所述噴淋頭噴淋的水霧具體呈扇形；

c)進一步的所述噴淋頭開始向所述硅晶圓噴淋水，所述噴淋頭噴出水的流量具體為1升/分鐘，所述噴淋頭噴出水的水壓具體為0.3±0.05MPa；

d)當噴淋一段時間后停止噴淋工序，將硅晶圓取走放置于指定位置處工作結束。

進一步的，所述噴淋頭有多個，所述噴淋頭的噴淋時間具體為60s，所述噴淋頭噴出的水的溫度具體為25±2攝氏度。

進一步的，所述噴淋頭與硅晶圓的夾角具體為垂直90度，所述噴淋頭噴水時在搖擺機構的帶動下所述噴淋頭的行程具體為30±1mm。

本發明的有益效果為：提供一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，通過搖擺機構在噴淋過程中帶動噴淋頭做往復運動，進而確保噴淋頭噴淋的水相對于硅晶圓的角度不斷的變化，實現硅晶圓上的孔內全部被噴淋上水的效果，提高了噴淋效率，提高了硅晶圓的潤濕效果，提高了后段電鍍的品質。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下對本發明作進一步的詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，其特征在于：其制作方法為：

a)首先將需要噴淋的硅晶圓取出放置于搖擺機構下方的放置槽內，所述硅晶圓的正面朝向噴淋頭，即硅晶圓上的淺孔朝向搖擺機構的噴淋頭；

b)在所述搖擺機構的帶動下所述噴淋頭開始在所述硅晶圓上方做往復運動，此時硅晶圓上的淺孔與噴淋頭噴淋的水霧之間的相對角度不斷在發生變化，所述搖擺機構帶動所述噴淋頭往復運動的速度為30±5次/分鐘，用于增加噴淋的次數，所述噴淋頭噴淋的水霧具體呈扇形，用于確保噴淋頭噴淋的水霧的角度范圍大，進而在噴淋頭運動過程中淺孔接收多個角度的水霧；