[發明專利]一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝在審
| 申請號： | 202011055282.7 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112185857A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 王健 | 申請（專利權）人： | 王健 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;C25D5/00;C25D7/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 156204 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電鍍 處理 搖擺 噴淋 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，其特征在于：其制作方法為：
a)首先將需要噴淋的硅晶圓取出放置于搖擺機構下方的放置槽內，所述硅晶圓的正面朝向噴淋頭；
b)在所述搖擺機構的帶動下所述噴淋頭開始在所述硅晶圓上方做往復運動，所述搖擺機構帶動所述噴淋頭往復運動的速度為30±5次/分鐘，所述噴淋頭噴淋的水霧具體呈扇形；
c)進一步的所述噴淋頭開始向所述硅晶圓噴淋水，所述噴淋頭噴出水的流量具體為1升/分鐘，所述噴淋頭噴出水的水壓具體為0.3±0.05MPa；
d)當噴淋一段時間后停止噴淋工序，將硅晶圓取走放置于指定位置處工作結束。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，其特征在于：所述噴淋頭有多個，所述噴淋頭的噴淋時間具體為60s，所述噴淋頭噴出的水的溫度具體為25±2攝氏度。
3.根據權利要求1所述的一種晶圓電鍍前處理用搖擺噴淋工藝，其特征在于：所述噴淋頭與硅晶圓的夾角具體為垂直90度，所述噴淋頭噴水時在搖擺機構的帶動下所述噴淋頭的行程具體為30±1mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
