[發明專利]金氧半導體模塊與發光二極管顯示設備

在審

• 申請號: 202011054299.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112736077A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 涂高維;張淵舜;楊立昌;林益勝
• 申請（專利權）人: 聚積科技股份有限公司;力士科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/15
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;謝瓊慧

本發明提供一種金氧半導體模塊，包含：半導體基板，及多個形成于半導體基板的金氧半導體組件，金氧半導體組件以至少一溝槽彼此間隔。每一個金氧半導體組件包括形成于半導體基板的重摻雜半導體層、形成于重摻雜半導體層的磊晶層、定義于磊晶層內，以裸露重摻雜半導體層的開口；及金屬圖案單元，金屬圖案單元具有位于磊晶層上的源極金屬圖案、位于磊晶層上的柵極金屬圖案；以及通過開口，自重摻雜半導體層向上延伸并凸伸出磊晶層的漏極金屬圖案。此外，本發明并提供具有此金氧半導體模塊的發光二極管顯示設備，借此，可適用于芯片級封裝，且將金氧半導體模塊整合于發光二極管顯示面板，有助于縮減電路板上組件覆蓋區的面積，而可增加顯示區域。

技術領域

本發明涉及一種半導體模塊及具有該半導體模塊的發光二極管顯示設備，特別是涉及一種金氧半導體模塊，及具有該金氧半導體模塊的發光二極管顯示設備。

背景技術

隨著可攜式電子裝置的形狀與尺寸日趨縮小，電子組件，如金氧半導體組件，也朝向體積小、高性能的方向發展。然而，受限于半導體材料本身的特性與半導體制程的先天限制，縮小芯片尺寸的成本越來越高，因此，如何將多個半導體組件整合在同一個半導體模塊，以縮減電路板上組件覆蓋區的面積，已經成為半導體產業的重要發展方向。

發明內容

本發明的目的在于提供一種將多個金氧半導體組件整合在一起，而可以縮減電路板上組件覆蓋區的面積，以降低制造成本的金氧半導體模塊。

本發明金氧半導體模塊包含：具有第一導電型的半導體基板，及多個形成于該半導體基板的金氧半導體組件，且所述金氧半導體組件以至少一溝槽彼此間隔。

其中，每一個金氧半導體組件包括：重摻雜半導體層、磊晶層、開口，及金屬圖案單元。

該重摻雜半導體層形成于該半導體基板上，并具有與該第一導電型的導電型態相反的第二導電型。

該磊晶層位于該重摻雜半導體層上并呈第二導電型，具有位于該磊晶層頂面的源極與柵極。

該開口定義于該磊晶層內，以裸露該重摻雜半導體層。

該金屬圖案單元具有位于該磊晶層上，分別與該源極與柵極連接的源極金屬圖案及柵極金屬圖案，以及自該重摻雜半導體層并通過該開口向上延伸并凸伸出該磊晶層的漏極金屬圖案。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，該第一導電型為P型，該第二導電型為N型。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，該開口位于該磊晶層的角落處。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，該金氧半導體組件為溝槽式金氧半導體組件。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，所述金氧半導體組件為以陣列排列方式間隔設置于該半導體基板。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，該溝槽為多條，并包括彼此縱橫間隔交錯的橫向溝槽與縱向溝槽。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，該磊晶層具有兩個位于角落且彼此鄰接的兩個蝕刻壁，且該兩個蝕刻壁定義出該開口。

優選地，本發明的金氧半導體模塊，其中，該至少一溝槽貫穿該磊晶層與該重摻雜半導體層并延伸至該半導體基板。

此外，本發明還提供一種發光二極管顯示設備。

本發明該發光二極管顯示設備包含，基板、發光二極管陣列，以及如前所述的金氧半導體模塊。

該基板具有顯示區域與非顯示區域，該非顯示區域內并具有電源線路與接地線路。

該發光二極管陣列，設置于該顯示區域，且具有多數行與多數列。