[發明專利]金氧半導體模塊與發光二極管顯示設備

在審

• 申請號: 202011054299.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112736077A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 涂高維;張淵舜;楊立昌;林益勝
• 申請（專利權）人: 聚積科技股份有限公司;力士科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/15
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;謝瓊慧

1.一種金氧半導體模塊，其特征在于：包含：具有第一導電型的半導體基板，及多個形成于該半導體基板的金氧半導體組件，所述金氧半導體組件以至少一溝槽彼此間隔，且每一個金氧半導體組件包括：

重摻雜半導體層，形成于該半導體基板上，具有與該第一導電型的導電型態相反的第二導電型；

磊晶層，形成于該重摻雜半導體層上并具有該第二導電型；

開口，定義于該磊晶層內，以裸露該重摻雜半導體層；及

金屬圖案單元，具有位于該磊晶層上的源極金屬圖案、位于該磊晶層上的柵極金屬圖案；以及通過該開口，自該重摻雜半導體層向上延伸并凸伸出該磊晶層的漏極金屬圖案。

2.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：該第一導電型為P型，該第二導電型為N型。

3.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：該開口位于該磊晶層的角落處。

4.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：該金氧半導體組件為溝槽式金氧半導體組件。

5.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：所述金氧半導體組件為以陣列排列方式間隔設置于該半導體基板。

6.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：該溝槽為多條，并包括彼此縱橫間隔交錯的橫向溝槽與縱向溝槽。

7.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：該磊晶層具有兩個位于角落且彼此鄰接的兩個蝕刻壁，且該兩個蝕刻壁定義出該開口。

8.根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，其特征在于：該至少一溝槽貫穿該磊晶層與該重摻雜半導體層并延伸至該半導體基板。

9.一種發光二極管顯示設備，其特征在于：包括：

基板，具有顯示區域與非顯示區域，該非顯示區域內并具有電源線路與接地線路；

發光二極管陣列，設置于該顯示區域，且具有多數行與多數列；及

根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，該金氧半導體模塊是以該金屬圖案單元朝向該基板方向設置于該非顯示區域，所述金氧半導體組件的漏極分別電性連接該發光二極管組件陣列的所述行，所述金氧半導體組件的源極電性連接該電源線路，且所述金氧半導體組件的柵極用以接收時序信號。

10.根據權利要求9所述的發光二極管顯示設備，其特征在于：所述金氧半導體組件是P型金氧半導體組件。

11.一種發光二極管顯示設備，其特征在于：包括：

基板，具有顯示區域與非顯示區域，該非顯示區域內并具有電源線路與接地線路；

發光二極管陣列，設置于該顯示區域，且設置為多數行與多數列；及

根據權利要求1所述的金氧半導體模塊，該金氧半導體模塊是以該金屬圖案單元朝向該基板方向設置于該非顯示區域，所述金氧半導體組件的漏極分別電性連接該發光二極管組件陣列的所述列，所述金氧半導體組件的源極電性連接該接地線路，且所述金氧半導體組件的柵極用以接收時序信號。

12.根據權利要求11所述的發光二極管顯示設備，其特征在于：所述金氧半導體組件是N型金氧半導體組件。

13.根據權利要求9或11所述的發光二極管顯示設備，其特征在于：每一個金氧半導體組件的該柵極金屬圖案、該源極金屬圖案與該漏極金屬圖案為沿著該金氧半導體組件的長邊方向依序排列。