[發明專利]一種多晶硅處理用全自動直拉單晶生長爐在審
| 申請號: | 202011054025.1 | 申請日: | 2020-09-30 | 
| 公開(公告)號: | CN112210821A | 公開(公告)日: | 2021-01-12 | 
| 發明(設計)人: | 嚴唐 | 申請(專利權)人: | 嚴唐 | 
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B29/06 | 
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 | 
| 地址: | 230000 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 處理 全自動 直拉單晶 生長 | ||
1.一種多晶硅處理用全自動直拉單晶生長爐,包括上爐體(1)、下爐體(29)、籽晶軸驅動裝置(21)和支撐板(33),所述上爐體(1)固定安裝在下爐體(29)的頂部,所述籽晶軸驅動裝置(21)固定安裝在上爐體(1)的頂部,所述上爐體(1)和下爐體(29)相連通,其特征在于:所述下爐體(29)的底部設有貫穿的通孔,所述通孔的內部固定安裝有密封圈(11),所述支撐板(33)位于下爐體(29)的底部,所述支撐板(33)的頂部固定安裝有隔熱板(32),所述隔熱板(32)穿過下爐體(29)底部的通孔,所述支撐板(33)的頂面可完全封蓋下爐體(29)底部的通孔,所述密封圈(11)的內壁與隔熱板(32)的外表面壓緊連接,所述支撐板(33)的底部固定安裝有液壓缸(35)和第三支撐腿(34),所述液壓缸(35)的一端固定連接有油缸,所述液壓缸(35)的輸出端活動連接有液壓桿(36),所述液壓桿(36)的底部固定連接有第二支撐腿(37),所述第三支撐腿(34)的底部固定安裝有伸縮桿(16),所述伸縮桿(16)的底部固定連接有萬向輪(17),所述伸縮桿(16)的外表面活動套接有彈簧(15),所述支撐板(33)的底部還固定安裝有電機(14),所述電機(14)的輸出端固定連接有旋轉軸(10),所述旋轉軸(10)的頂部貫穿支撐板(33)和隔熱板(32)并延伸至隔熱板(32)頂部的上方,所述旋轉軸(10)的頂部固定連接有連接板(9),所述連接板(9)的頂部固定連接有坩堝(5),所述下爐體(29)底部的左側和后側均固定安裝有固定限位板(12),兩個所述固定限位板(12)靠近下爐體(29)底部中心的面固定安裝有滾輪(13),所述下爐體(29)的左側面和右側面均固定安裝有固定板(31),所述固定板(31)的底部固定安裝有第一支撐座(18),位于所述下爐體(29)右側的固定板(31)的頂部固定安裝有立桿(30),所述立桿(30)的頂部固定安裝有控制器(28),所述隔熱板(32)的頂部固定安裝有隔熱箱(8)和加熱棒(6),所述隔熱箱(8)的底面鏤空,所述隔熱箱(8)內腔的側面固定安裝有保溫層(7),所述加熱棒(6)位于保溫層(7)和坩堝(5)之間,所述隔熱箱(8)的頂部設有開口,所述隔熱箱(8)的內腔和該開口相連通,所述下爐體(29)內腔的左側面和隔熱板(32)的頂部均固定安裝有溫度傳感器(4),位于所述隔熱板(32)頂部的溫度傳感器(4)在隔熱箱(8)的內部,所述下爐體(29)內腔的右側面固定安裝有壓力傳感器(26),所述下爐體(29)的頂部固定安裝有氮氣管(2)和抽氣管(23),所述氮氣管(2)和抽氣管(23)分別位于上爐體(1)的左右兩側,所述氮氣管(2)和抽氣管(23)的底部均貫穿下爐體(29)的頂部并延伸至下爐體(29)的內腔,所述氮氣管(2)的輸入端連接有氮氣罐,位于所述下爐體(29)內腔的氮氣管(2)上設有若干個通氣孔(25),位于所述下爐體(29)外部的氮氣管(2)上設有電磁閥(3),所述抽氣管(23)上設有氣泵(24),所述上爐體(1)的左側固定安裝有輸氣管(20),所述輸氣管(20)的出氣端貫穿上爐體(1)的左側面并延伸至其內腔,所述籽晶軸驅動裝置(21)內部貫穿設有籽晶軸(22),所述籽晶軸(22)的底部延伸至上爐體(1)和下爐體(29)的內腔,所述籽晶軸(22)的底部固定安裝有籽晶(27),所述籽晶(27)位于坩堝(5)的正上方,所述下爐體(29)的正面設有可視窗(39)。
2.根據權利要求1所述的一種多晶硅處理用全自動直拉單晶生長爐,其特征在于:所述隔熱板(32)的頂部由石棉制成。
3.根據權利要求1所述的一種多晶硅處理用全自動直拉單晶生長爐,其特征在于:所述隔熱板(32)和下爐體(29)底部的通孔均呈圓柱體,所述隔熱板(32)的頂面直徑小于其底面直徑。
4.根據權利要求1所述的一種多晶硅處理用全自動直拉單晶生長爐,其特征在于:所述第二支撐腿(37)的底部固定連接有第二固定座(38),所述第一支撐座(18)的底部固定連接有第一固定座(19)。
5.根據權利要求1所述的一種多晶硅處理用全自動直拉單晶生長爐,其特征在于:所述氮氣管(2)呈L形,位于所述下爐體(29)內腔的氮氣管(2)呈水平橫向設置。
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