[發(fā)明專利]陣列基板和顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011053601.0
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112164701B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何水;楊銘;鄭珊珊
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

本申請公開了一種陣列基板和顯示面板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，陣列基板包括襯底基板和多個薄膜晶體管；薄膜晶體管包括有源層、柵極、源極和漏極，有源層包括溝道區(qū)以及分別與溝道區(qū)溝道長度方向上的兩端連接的第一區(qū)和第二區(qū)；沿垂直于襯底基板的方向，源極和漏極與有源層之間包括至少一層絕緣層，源極和漏極分別通過貫穿絕緣層的過孔與第一區(qū)和第二區(qū)連接；其中，過孔在與其相鄰的溝道區(qū)的寬度方向上的尺寸大于溝道區(qū)的溝道寬度尺寸。由于本申請將過孔在溝道寬度方向上進(jìn)行拉伸，避免了過孔曝光后因孔徑擴(kuò)大而出現(xiàn)弧形邊界，從而解決溝道區(qū)溝道長度波動的問題；另外，過孔與有源層的接觸面積增大后，接觸電阻減小，也有利于解決電流發(fā)熱的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種陣列基板和顯示面板。

背景技術(shù)

在顯示技術(shù)中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)是顯示面板的核心部件，通常制作于陣列基板上，包括：柵極、源極、漏極和有源層；其中，源、漏極分別通過過孔與有源層連接。當(dāng)對柵極施加電壓后，柵極和有源層之間形成電場，電場的作用使得有源層中的載流子開始移動產(chǎn)生電流，當(dāng)溝道區(qū)達(dá)到飽和電流時，薄膜晶體管開啟，實現(xiàn)源極與漏極之間的導(dǎo)通。

由于薄膜晶體管的性能與顯示效果密切相關(guān)，因此如何改善TFT性能成為了現(xiàn)階段亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種陣列基板和顯示面板，能夠減少TFT中溝道區(qū)溝道長度的波動，從而在保證TFT均一性的同時改善電流發(fā)熱現(xiàn)象。

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N陣列基板，包括襯底基板和位于所述襯底基板一側(cè)的多個薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括有源層、柵極、源極和漏極，所述有源層包括溝道區(qū)以及分別與所述溝道區(qū)溝道長度方向上的兩端連接的第一區(qū)和第二區(qū)；

沿垂直于所述襯底基板的方向，所述源極和漏極與所述有源層之間包括至少一層絕緣層，所述源極和所述漏極分別通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述第一區(qū)和所述第二區(qū)連接；其中，所述過孔在與其相鄰的所述溝道區(qū)的寬度方向上的尺寸大于所述溝道區(qū)的溝道寬度尺寸。

第二方面，本申請還提供一種顯示面板，包括上述第一方面所提供的陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請?zhí)峁┑年嚵谢搴惋@示面板，至少實現(xiàn)了如下的有益效果：

本申請所提供的陣列基板及顯示面板中，薄膜晶體管包括有源層、柵極、源極和漏極，源、漏極分別通過過孔與有源層電連接。由于過孔在與其相鄰的溝道區(qū)的寬度方向上的尺寸大于溝道區(qū)的溝道寬度尺寸，也就是說，本申請將過孔沿溝道區(qū)的溝道寬度方向進(jìn)行拉伸，此種設(shè)計方式能夠避免過控曝光后孔徑擴(kuò)大形成圓形過孔，從而消除圓形邊界導(dǎo)致的溝道區(qū)溝道長度波動，有效提高了各個TFT的均一性。此外，過孔沿溝道寬度方向拉伸后，其與有源層的接觸面積增大、接觸電阻減小，也有利于解決電流發(fā)熱的問題，保證了TFT的器件特性。

當(dāng)然，實施本發(fā)明的任一產(chǎn)品必不特定需要同時達(dá)到以上所述的所有技術(shù)效果。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1所示為發(fā)明人研究過程中提供的薄膜晶體管的一種俯視圖；

圖2所示為本申請實施例所提供的薄膜晶體管的一種膜層結(jié)構(gòu)圖；

圖3所示為圖2實施例所提供的薄膜晶體管的一種俯視圖；

圖4所示為圖2實施例所提供的薄膜晶體管的另一種俯視圖；

圖5所示為發(fā)明人研究過程中提供的薄膜晶體管的另一種俯視圖；