[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板和顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011053601.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112164701B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何水;楊銘;鄭珊珊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廈門(mén)天馬微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括襯底基板和位于所述襯底基板一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管;所述薄膜晶體管包括有源層、柵極、源極和漏極,所述有源層包括溝道區(qū)以及分別與所述溝道區(qū)溝道長(zhǎng)度方向上的兩端連接的第一區(qū)和第二區(qū);
沿垂直于所述襯底基板的方向,所述源極和漏極與所述有源層之間包括至少一層絕緣層,所述源極和所述漏極分別通過(guò)貫穿所述絕緣層的過(guò)孔與所述第一區(qū)和所述第二區(qū)連接;其中,所述過(guò)孔在與其相鄰的所述溝道區(qū)的寬度方向上的尺寸大于所述溝道區(qū)的溝道寬度尺寸;
沿垂直于所述襯底基板的方向,所述過(guò)孔包括相對(duì)設(shè)置的第一端面和第二端面,所述第二端面位于所述第一端面遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述過(guò)孔在與其相鄰的所述溝道區(qū)的寬度方向上的尺寸為所述第一端面在與其相鄰的所述溝道區(qū)的寬度方向上的尺寸;
所述第一區(qū)沿所述溝道區(qū)的長(zhǎng)度方向的投影與所述第二區(qū)沿所述溝道區(qū)的長(zhǎng)度方向的投影重合,兩個(gè)所述過(guò)孔在所述溝道區(qū)的寬度方向上錯(cuò)位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述過(guò)孔在所述有源層的正投影為矩形或圓角矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述過(guò)孔在與其相鄰的所述溝道區(qū)寬度方向上的尺寸大于等于所述過(guò)孔在與其相鄰的所述溝道區(qū)長(zhǎng)度方向上的尺寸的2倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述過(guò)孔沿與其相鄰的所述溝道區(qū)的長(zhǎng)度方向的投影覆蓋與其相鄰的所述溝道區(qū)的端部,所述端部為所述溝道區(qū)長(zhǎng)度方向的端部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一區(qū)和所述第二區(qū)沿第一方向排布且分別沿第二方向延伸,所述溝道區(qū)沿所述第一方向延伸且位于所述第一區(qū)及所述第二區(qū)之間,所述第一區(qū)和所述第二區(qū)沿所述第二方向的尺寸大于所述溝道區(qū)沿所述第二方向的尺寸;
其中,所述第一方向?yàn)樗鰷系绤^(qū)的溝道長(zhǎng)度方向,所述第二方向?yàn)樗鰷系绤^(qū)的溝道寬度方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第二區(qū)沿所述第二方向的尺寸與所述第一區(qū)沿所述第二方向的尺寸相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述過(guò)孔在所述有源層的正投影的面積為A1,所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的面積為A2,其中,
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述溝道區(qū)的溝道寬度尺寸為w,所述溝道區(qū)的溝道長(zhǎng)度尺寸為l,其中,w/l≥1/2。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括權(quán)利要求1至8之任一所述的陣列基板。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





