[發(fā)明專利]半導體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011050878.8
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112635456A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳志秀;俞炫圭;林承萬
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發(fā)明提供一種半導體器件，其包括：第一有源圖案和第二有源圖案，其在基板上在第一方向上延伸；第一柵電極和第二柵電極，其在第二方向上延伸以與第一有源圖案和第二有源圖案相交；第一源極/漏極接觸，其在第二方向上延伸并分別連接到第一有源圖案的第一源極/漏極區(qū)域和第二有源圖案的第二源極/漏極區(qū)域；第一源極/漏極通路，其連接到第一源極/漏極接觸；第一單元分隔膜，其在第二方向上延伸并與第一有源圖案和第二有源圖案交叉，在第一源極/漏極接觸和第二柵電極之間；第一柵極通路，其連接到第二柵電極并與第一源極/漏極通路一起沿著第一方向排列；以及第一連接配線，其在第一方向上延伸并且連接第一源極/漏極通路和第一柵極通路。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導體器件、用于該半導體器件的布圖設(shè)計方法以及用于制造該半導體器件的方法。

背景技術(shù)

由于諸如小型化、多功能和/或低制造成本的特性，半導體器件作為電子工業(yè)中的重要元件而引人關(guān)注。半導體器件可以分類為存儲邏輯數(shù)據(jù)的半導體存儲器件、對邏輯數(shù)據(jù)執(zhí)行算術(shù)處理的半導體邏輯器件以及包括存儲元件和邏輯元件等的混合半導體器件。

隨著電子工業(yè)高度發(fā)展，對半導體器件的特性的需求不斷增加。例如，對半導體器件的高可靠性、高速度和/或多功能性的需求不斷增加。為了滿足這些期望的特性，半導體器件中的結(jié)構(gòu)變得越來越復雜并被高集成。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的方面提供一種半導體器件，其中頂部配線的使用減少，并且功率損耗和PnR(布局布線)資源損耗降低。

發(fā)明構(gòu)思的方面還提供一種用于半導體器件的布圖設(shè)計方法，其中頂部配線的使用減少，并且功率損耗和PnR資源損耗降低。

發(fā)明構(gòu)思的方面還提供一種用于制造半導體器件的方法，其中頂部配線的使用減少，并且功率損耗和PnR資源損耗降低。

然而，發(fā)明構(gòu)思的方面不限于這里闡述的方面。通過參照下面給出的發(fā)明構(gòu)思的詳細描述，發(fā)明構(gòu)思的以上和其它方面將對于發(fā)明構(gòu)思所屬的領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員變得更加明顯。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一方面，一種半導體器件包括：基板；在基板上在第一方向上延伸的第一有源圖案；在基板上在第一方向上延伸的第二有源圖案；在第二方向上延伸的第一柵電極，第二方向與第一方向相交，第一柵電極與第一有源圖案和第二有源圖案相交；在第一柵電極的一側(cè)在第二方向上延伸的第一源極/漏極接觸，第一源極/漏極接觸連接到第一有源圖案的第一源極/漏極區(qū)域和第二有源圖案的第二源極/漏極區(qū)域；連接到第一源極/漏極接觸的第一源極/漏極通路；在第二方向上延伸的第二柵電極，第二柵電極與第一有源圖案和第二有源圖案相交；在第一源極/漏極接觸和第二柵電極之間在第二方向上延伸的第一單元分隔膜，第一單元分隔膜與第一有源圖案和第二有源圖案交叉；第一柵極通路，其連接到第二柵電極并與第一源極/漏極通路一起沿著第一方向排列；以及第一連接配線，其在第一方向上延伸并且連接第一源極/漏極通路和第一柵極通路。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一方面，一種半導體器件包括第一單元區(qū)域以及第二單元區(qū)域和第三單元區(qū)域，第二單元區(qū)域和第三單元區(qū)域分別被安置在第一單元區(qū)域的在第一方向上的兩側(cè)。半導體器件進一步包括：第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域，其在第一單元區(qū)域、第二單元區(qū)域和第三單元區(qū)域上在第一方向上延伸，第二有源區(qū)域在與第一方向相交的第二方向上與第一有源區(qū)域間隔開；第一柵電極，其在第一單元區(qū)域中在第二方向上延伸；第一源極/漏極接觸，其在第一單元區(qū)域中在第一柵電極的一側(cè)在第二方向上延伸，第一源極/漏極接觸連接到第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域；第二柵電極，其在第二單元區(qū)域中在第二方向上延伸；第二源極/漏極接觸，其在第二單元區(qū)域中在第二柵電極的一側(cè)；第一連接配線，其在第一方向上延伸并且連接到第二源極/漏極接觸和第一柵電極；第三柵電極，其在第三單元區(qū)域中在第二方向上延伸；以及第二連接配線，其在第一方向上延伸并且連接到第一源極/漏極接觸和第三柵電極，在第一單元區(qū)域中第二連接配線和第一連接配線在第二方向上彼此間隔開。