[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011050878.8
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112635456A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 柳志秀;俞炫圭;林承萬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種半導體器件，其包括：

基板；

在所述基板上在第一方向上延伸的第一有源圖案；

在所述基板上在所述第一方向上延伸的第二有源圖案；

在第二方向上延伸的第一柵電極，所述第二方向與所述第一方向相交，所述第一柵電極與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案相交；

在所述第一柵電極的一側在所述第二方向上延伸的第一源極/漏極接觸，所述第一源極/漏極接觸連接到所述第一有源圖案的第一源極/漏極區域和所述第二有源圖案的第二源極/漏極區域；

連接到所述第一源極/漏極接觸的第一源極/漏極通路；

在所述第二方向上延伸的第二柵電極，所述第二柵電極與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案相交；

在所述第一源極/漏極接觸和所述第二柵電極之間在所述第二方向上延伸的第一單元分隔膜，所述第一單元分隔膜與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案交叉；

第一柵極通路，其連接到所述第二柵電極并與所述第一源極/漏極通路一起沿著所述第一方向排列；以及

第一連接配線，其在所述第一方向上延伸并且連接所述第一源極/漏極通路和所述第一柵極通路。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一連接配線在所述第一方向上以直線延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其進一步包括：

第二源極/漏極接觸，其在所述第一柵電極的另一側，連接到所述第一源極/漏極區域；

第三源極/漏極接觸，其在所述第一柵電極的所述另一側，與所述第二源極/漏極接觸間隔開并且連接到所述第二源極/漏極區域；

第一電源配線，其在所述第一方向上延伸并且連接到所述第二源極/漏極接觸；以及

第二電源配線，其在所述第一方向上延伸并且連接到所述第三源極/漏極接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一連接配線被安置在與所述第一電源配線和所述第二電源配線相同的水平。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中

所述第一電源配線配置為具有施加到其的漏極電壓，以及

所述第二電源配線配置為具有施加到其的源極電壓。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其進一步包括：

第二源極/漏極接觸，其在所述第二柵電極的一側，通過所述第一單元分隔膜與所述第一源極/漏極接觸間隔開并且連接到所述第一源極/漏極區域；

第二源極/漏極通路，其連接到所述第二源極/漏極接觸；以及

輸出配線，其在所述第一方向上延伸并且連接到所述第二源極/漏極通路。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一連接配線在與所述輸出配線相同的水平。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其進一步包括：

第二源極/漏極接觸，其連接到所述第一源極/漏極區域；

第二源極/漏極通路，其連接到所述第二源極/漏極接觸；

第二單元分隔膜，其在所述第二源極/漏極接觸和所述第一柵電極之間在所述第二方向上延伸，所述第二單元分隔膜與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案交叉；

第二柵極通路，其連接到所述第一柵電極并與所述第二源極/漏極通路一起沿著所述第一方向排列；以及

第二連接配線，其在所述第一方向上延伸并且連接所述第二源極/漏極通路和所述第二柵極通路。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一連接配線和所述第二連接配線被安置在相同的水平。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第二連接配線在所述第二方向上與所述第一連接配線間隔開。