[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011049295.3
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112185805B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 向磊;郭莉莉;馬莉娜
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件的制造方法包括對半導(dǎo)體襯底進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，所述半導(dǎo)體襯底上還形成有虛設(shè)焊盤和芯片端頭；向刻蝕腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，同時令所述刻蝕腔體內(nèi)保持預(yù)定低壓和預(yù)定流量，抽除所述刻蝕腔體內(nèi)反應(yīng)生成的副產(chǎn)物；對所述半導(dǎo)體襯底進行濕法清洗；其中，所述反應(yīng)氣體至少包括O₂；解決了目前濕法清洗去除聚合物能力不足的問題；達到了改善多晶硅刻蝕后半導(dǎo)體襯底表面顆粒缺陷的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)制造中，光刻工藝及刻蝕工藝是必不可少的，通過光刻工藝和刻蝕工藝將掩膜版上的圖形復(fù)制到半導(dǎo)體襯底上。刻蝕過程會產(chǎn)生一些聚合物(polymer)，這些聚合物會殘留在半導(dǎo)體襯底上，由于殘留的聚合物會增加器件表面的顆粒和污染物，影響器件性能，需要在在后續(xù)的工藝步驟中去除。

目前，在低透光率90E-flash產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中，經(jīng)過傳統(tǒng)刻蝕工藝及濕法清洗后，發(fā)現(xiàn)虛設(shè)焊盤(dummy pad)和芯片(cell)端頭溝槽內(nèi)仍有聚合物殘留，如圖1和圖2所示，虛線圈出部分為聚合物顆粒，半導(dǎo)體襯底表面形成微粒缺陷，濕法清洗無法有效地去除聚合物。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的問題，本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件的制造方法。該技術(shù)方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括：

對半導(dǎo)體襯底進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，半導(dǎo)體襯底上還形成有虛設(shè)焊盤和芯片端頭；

向刻蝕腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體，同時令所述刻蝕腔體內(nèi)保持預(yù)定低壓和預(yù)定流量，抽除刻蝕腔體內(nèi)反應(yīng)生成的副產(chǎn)物；

對半導(dǎo)體襯底進行濕法清洗；

其中，反應(yīng)氣體至少包括O₂。

可選的，反應(yīng)氣體包括O₂和CF₄。

可選的，預(yù)定低壓為5mt-15mt。

可選的，在向所述刻蝕腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體時，刻蝕機臺的等離子源功率為800W-1200W。

可選的，預(yù)定流量為150sccm-300sccm。

可選的，向刻蝕腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體的時間為40s-60s。

可選的，進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層；

在多晶硅層上形成硬掩膜層；

通過光刻工藝在硬掩膜層形成多晶硅柵圖案；

根據(jù)多晶硅柵圖案刻蝕多晶硅層，形成多晶硅柵。

可選的，硬掩膜層為二氧化硅層。

可選的，芯片端頭具有溝槽狀結(jié)構(gòu)。

本申請技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點：

通過在多晶硅柵刻蝕的處理工藝后，向刻蝕腔體內(nèi)通入含氧氣的反應(yīng)氣體，同時以預(yù)定低壓和預(yù)定流量抽除刻蝕腔體內(nèi)反應(yīng)生成的副產(chǎn)物，對半導(dǎo)體襯底上的聚合物進行一次干法剝除，再對半導(dǎo)體襯底進行濕法清洗；在不增加反應(yīng)腔體的情況下，徹底去除半導(dǎo)體襯底上的聚合物；解決了目前濕法清洗去除聚合物能力不足的問題；達到了改善多晶硅刻蝕后半導(dǎo)體襯底表面顆粒缺陷的效果。

附圖說明