[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 202011049295.3
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112185805B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 向磊;郭莉莉;馬莉娜
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

對半導體襯底進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，所述半導體襯底上還形成有虛設焊盤和芯片端頭；

去除光刻膠，在虛設焊盤和芯片端頭的凹槽中具有殘留聚合物，向刻蝕腔體內通入反應氣體，同時令所述刻蝕腔體內保持預定低壓和預定流量，抽除所述刻蝕腔體內反應生成的副產物，所述預定低壓為5mt-15mt；

對所述半導體襯底進行濕法清洗；

其中，所述反應氣體至少包括O₂。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應氣體包括O₂和CF₄。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在向所述刻蝕腔體內通入反應氣體時，刻蝕機臺的等離子源功率為800W-1200W。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預定流量為150sccm-300sccm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向所述刻蝕腔體內通入反應氣體的時間為40s-60s。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，包括：

在半導體襯底上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成硬掩膜層；

通過光刻工藝在所述硬掩膜層形成多晶硅柵圖案；

根據所述多晶硅柵圖案刻蝕多晶硅層，形成所述多晶硅柵。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層為二氧化硅層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片端頭具有溝槽狀結構。