[發明專利]顯示基板、制造其的方法和包括其的顯示裝置

在審

• 申請號: 202011049272.2
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112652645A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 趙晟原;丁有光;崔大元;金善一;裵水斌;呂倫鐘
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 趙嫦;康泉

本申請涉及顯示基板、制造其的方法和包括其的顯示裝置。該顯示基板包括：基板；在基板上的第一柵電極；在第一柵電極上的第一柵絕緣層；在第一柵絕緣層上的有源層；在有源層上的第二柵絕緣層；在第二柵絕緣層上的第二柵電極；在第二柵電極上的層間絕緣層；第一電極，該第一電極在層間絕緣層上，以經由通過層間絕緣層、第二柵絕緣層、有源層以及第一柵絕緣層的一部分的第一接觸孔接觸有源層的頂表面、側壁和底表面；以及第二電極，該第二電極在層間絕緣層上，以經由通過層間絕緣層、第二柵絕緣層和第一柵絕緣層的第二接觸孔接觸第一柵電極。

技術領域

一個或多個實施方式涉及顯示基板。更特別地，一個或多個實施方式涉及顯示基板、制造顯示基板的方法和包括顯示基板的顯示裝置。

背景技術

顯示裝置為配置為顯示圖像以用于向用戶提供視覺信息的裝置。顯示裝置可包括配置為產生光的發光元件以用于顯示圖像。顯示裝置還可包括顯示基板，該顯示基板包括配置為提供電流和電壓等以用于驅動發光元件的晶體管。

在制造顯示基板的工藝中，可進行用于在絕緣層中形成導電圖案或形成接觸孔的光學工藝。因為光學掩膜用于這種光學工藝，并且制造時間和制造成本與形成光學掩膜相關，所以用于顯示基板的制造時間和制造成本可隨著另外進行光學工藝(例如，除了其他光學工藝之外進行的光學工藝)而增加。

發明內容

實施方式的一個或多個方面涉及其中第一電極和有源層之間的接觸電阻減小的顯示基板以及包括顯示基板的顯示裝置。

實施方式的一個或多個方面涉及用于形成第一接觸孔和第二接觸孔而無需另外的光刻工藝的制造顯示基板的方法。

根據實施方式的顯示基板可包括：基板；在基板上的第一柵電極；在基板上以覆蓋第一柵電極的第一柵絕緣層；在第一柵絕緣層上的有源層；在第一柵絕緣層上以覆蓋有源層的第二柵絕緣層；在第二柵絕緣層上的第二柵電極；在第二柵絕緣層上以覆蓋第二柵電極的層間絕緣層；第一電極，該第一電極在層間絕緣層上，以經由通過層間絕緣層、第二柵絕緣層、有源層以及第一柵絕緣層的一部分的第一接觸孔接觸有源層的頂表面、側壁和底表面；以及第二電極，該第二電極在層間絕緣層上，以經由通過層間絕緣層、第二柵絕緣層和第一柵絕緣層的第二接觸孔接觸第一柵電極。

在一個實施方式中，第二電極可經由第二接觸孔接觸第一柵電極的頂表面。

在一個實施方式中，第一接觸孔可包括：第一部分，該第一部分形成為通過第二柵絕緣層以暴露有源層的頂表面；第二部分，該第二部分形成為通過有源層以暴露有源層的側壁；以及第三部分，該第三部分形成為通過第一柵絕緣層的該部分以暴露有源層的底表面。

在一個實施方式中，第一部分的寬度可大于第二部分的寬度。

在一個實施方式中，第三部分的寬度可大于第二部分的寬度。

在一個實施方式中，第一柵絕緣層可包括在基板上以覆蓋第一柵電極的第一子絕緣層和在第一子絕緣層上的第二子絕緣層。

在一個實施方式中，第一柵絕緣層的該部分可包括第二子絕緣層。

在一個實施方式中，第一子絕緣層可包括氮化硅。

在一個實施方式中，第二子絕緣層可包括氧化硅。

在一個實施方式中，有源層可包括多晶硅。

在一個實施方式中，第二柵絕緣層可包括氧化硅。

在一個實施方式中，第一柵電極可與第二柵電極重疊，其中有源層插入它們之間。

在一個實施方式中，層間絕緣層可包括在第二柵絕緣層上以覆蓋第二柵電極的第一層間絕緣層和在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層。

在一個實施方式中，第一層間絕緣層可包括氮化硅。