[發明專利]顯示基板、制造其的方法和包括其的顯示裝置在審
| 申請號： | 202011049272.2 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112652645A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 趙晟原;丁有光;崔大元;金善一;裵水斌;呂倫鐘 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 趙嫦;康泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 制造 方法 包括 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板，包括：
基板；
在所述基板上的第一柵電極；
在所述基板上以覆蓋所述第一柵電極的第一柵絕緣層；
在所述第一柵絕緣層上的有源層；
在所述第一柵絕緣層上以覆蓋所述有源層的第二柵絕緣層；
在所述第二柵絕緣層上的第二柵電極；
在所述第二柵絕緣層上以覆蓋所述第二柵電極的層間絕緣層；
第一電極，所述第一電極在所述層間絕緣層上，以經由通過所述層間絕緣層、所述第二柵絕緣層、所述有源層以及所述第一柵絕緣層的一部分的第一接觸孔接觸所述有源層的頂表面、側壁和底表面；以及
第二電極，所述第二電極在所述層間絕緣層上，以經由通過所述層間絕緣層、所述第二柵絕緣層和所述第一柵絕緣層的第二接觸孔接觸所述第一柵電極。
2.如權利要求1所述的顯示基板，其中所述第二電極經由所述第二接觸孔接觸所述第一柵電極的頂表面。
3.如權利要求1所述的顯示基板，其中所述第一接觸孔包括：
第一部分，所述第一部分形成為通過所述第二柵絕緣層，以暴露所述有源層的所述頂表面；
第二部分，所述第二部分形成為通過所述有源層，以暴露所述有源層的所述側壁；以及
第三部分，所述第三部分形成為通過所述第一柵絕緣層的所述部分，以暴露所述有源層的所述底表面。
4.如權利要求3所述的顯示基板，其中所述第一部分的寬度大于所述第二部分的寬度，并且
其中所述第三部分的寬度大于所述第二部分的所述寬度。
5.如權利要求1所述的顯示基板，其中所述第一柵絕緣層包括：
在所述基板上以覆蓋所述第一柵電極的第一子絕緣層；以及
在所述第一子絕緣層上的第二子絕緣層，并且
其中所述第一柵絕緣層的所述部分包括所述第二子絕緣層。
6.一種制造顯示基板的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一柵電極；
在所述基板上，形成第一柵絕緣層以覆蓋所述第一柵電極；
在所述第一柵絕緣層上形成有源層；
在所述第一柵絕緣層上形成第二柵絕緣層以覆蓋所述有源層；
在所述第二柵絕緣層上形成第二柵電極；
在所述第二柵絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋所述第二柵電極；
形成通過所述層間絕緣層、所述第二柵絕緣層、所述有源層以及所述第一柵絕緣層的一部分的第一接觸孔，以暴露所述有源層的頂表面、側壁和底表面；
形成通過所述層間絕緣層、所述第二柵絕緣層和所述第一柵絕緣層的第二接觸孔，以暴露所述第一柵電極；以及
在所述層間絕緣層上，形成第一電極以填充所述第一接觸孔，并且形成第二電極以填充所述第二接觸孔，
其中所述第一接觸孔和所述第二接觸孔同時形成。
7.如權利要求6所述的方法，其中所述第一接觸孔和所述第二接觸孔通過干法蝕刻方案利用一種蝕刻氣體形成。
8.如權利要求6所述的方法，其中所述第一接觸孔和所述第二接觸孔通過利用至少兩種不同的蝕刻材料形成。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述第一接觸孔的所述形成包括：
通過蝕刻所述第二柵絕緣層，形成暴露所述有源層的所述頂表面的所述第一接觸孔的第一部分；
通過蝕刻所述有源層，形成暴露所述有源層的所述側壁的所述第一接觸孔的第二部分；以及
通過蝕刻所述第一柵絕緣層的所述部分，形成暴露所述有源層的所述底表面的所述第一接觸孔的第三部分，并且
其中用于形成所述第一部分的第一蝕刻材料不同于用于形成所述第二部分的第二蝕刻材料。
10.如權利要求9所述的方法，其中用于形成所述第三部分的第三蝕刻材料不同于所述第二蝕刻材料，并且
其中所述第三蝕刻材料與所述第一蝕刻材料相同。
11.一種顯示裝置，包括：
基板；
在所述基板上的第一柵電極；
在所述基板上以覆蓋所述第一柵電極的第一柵絕緣層；
在所述第一柵絕緣層上的有源層；
在所述第一柵絕緣層上以覆蓋所述有源層的第二柵絕緣層；
在所述第二柵絕緣層上的第二柵電極；
在所述第二柵絕緣層上以覆蓋所述第二柵電極的層間絕緣層；
第一電極，所述第一電極在所述層間絕緣層上，以經由通過所述層間絕緣層、所述第二柵絕緣層、所述有源層以及所述第一柵絕緣層的一部分的第一接觸孔接觸所述有源層的頂表面、側壁和底表面；
第二電極，所述第二電極在所述層間絕緣層上，以經由通過所述層間絕緣層、所述第二柵絕緣層和所述第一柵絕緣層的第二接觸孔接觸所述第一柵電極；
在所述層間絕緣層上以覆蓋所述第一電極和所述第二電極的平坦化層；
在所述平坦化層上的像素電極；
與所述像素電極重疊的對電極；以及
在所述像素電極和所述對電極之間的發光層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
