[發(fā)明專利]高壓ESD結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011049234.7
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN111987094B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設計）人: 韋敏俠
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種高壓ESD結構，其特征在于：所述高壓ESD結構為平面版圖呈圓角矩形的MOS管結構，其中MOS管的漏區(qū)位于圓角矩形的中心區(qū)域，多晶硅柵極環(huán)繞圍成圓角矩形的圖形；所述高壓ESD結構為左右對稱結構；

在俯視平面上，將所述的圓角矩形劃分為頂部圓角以及底部圓角；在頂部圓角的弧形區(qū)域，具有都成弧形的重摻雜N型區(qū)及重摻雜P型區(qū)，互相平行且抵靠接觸；所述弧形的重摻雜P型區(qū)位于外側，且其具有靠外側的第一弧形長邊和靠內側的第二弧形長邊；所述第二弧形長邊與重摻雜N型區(qū)接觸；所述重摻雜的P型區(qū)的內側還具有同樣呈弧形的多晶硅層，所述重摻雜P型區(qū)的第二弧形長邊在垂直投影方向上向內側延伸且超過多晶硅層的第一弧形長邊；

在位于圓角矩形的中心區(qū)域的漏區(qū)中，劃分為頂部漏區(qū)及底部漏區(qū)，在所述頂部漏區(qū)的區(qū)域，其有源區(qū)中包含有接觸區(qū)，有源區(qū)的邊界在接觸區(qū)之外，與接觸區(qū)間隔一段距離；

所述的接觸區(qū)，分為左右兩組、每組有多個的接觸孔，所述的左右兩組接觸孔接觸孔與有源區(qū)邊界具有一段距離；

所述的底部漏區(qū)，包含有重摻雜N型注入區(qū)，所述重摻雜N型注入區(qū)的邊界小于有源區(qū)；

所述的底部漏區(qū)中，處于最底端的漏區(qū)中不具有接觸孔，靠近中心區(qū)域的漏區(qū)中具有兩列接觸孔；

在底部圓角區(qū)域，具有重摻雜P型區(qū)及重摻雜N型區(qū)；所述重摻雜N型區(qū)與重摻雜P型區(qū)抵靠接觸，重摻雜N型區(qū)的內側還具有多晶硅層；所述重摻雜P型區(qū)在垂直投影方向上向內側延伸且超過多晶硅層的外邊界。

2.如權利要求1所述的高壓ESD結構，其特征是：所述頂部漏區(qū)的有源區(qū)邊界與接觸孔的距離不小于20微米。

3.如權利要求1所述的高壓ESD結構，其特征是：所述的底部漏區(qū)，其重摻雜N型區(qū)的邊界向其內部縮小，使其與有源區(qū)邊界的間距擴大。

4.如權利要求3所述的高壓ESD結構，其特征是：所述的底部漏區(qū)其重摻雜N型區(qū)的邊界向其內部縮進1微米。

5.如權利要求1所述的高壓ESD結構，其特征是：所述的高壓ESD結構其底部由兩個圓角矩形抵靠接觸形成，即整個高壓ESD結構呈開口抵靠的馬蹄形。

6.如權利要求5所述的高壓ESD結構，其特征是：所述的底部的兩個圓角矩形，在所述高壓ESD結構的底部區(qū)域中形成兩個結構完全相同的底部漏區(qū)。

7.如權利要求1所述的高壓ESD結構，其特征是：所述的頂部圓角區(qū)域的重摻雜P型區(qū)第二弧形長邊向內移后使頂部區(qū)域源端被去除而沒有電流。