[發明專利]一種OLED襯底基板及其制備方法、OLED顯示面板在審
| 申請號: | 202011047979.X | 申請日: | 2020-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN112186015A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 薛智勇;劉亮亮;彭利滿;白妮妮;高樂 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 襯底 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
本發明公開了一種OLED襯底基板及其制備方法、OLED顯示面板,涉及顯示技術領域,用于解決現有的OLED顯示面板中因陽極層中的金屬銀在高溫高濕環境下發生氧化還原反應而導致陽極層與Bonding區的引腳之間短路的問題。該OLED顯示面板包括OLED襯底基板、引腳和OLED元件,OLED襯底基板包括襯底和PLN層,PLN層設于襯底上,PLN層上設有Bonding區和顯示區,引腳設于Bonding區,OLED元件設于顯示區;PLN層上設有隔斷帶,隔斷帶設于引腳和OLED元件之間,以用于阻斷OLED元件的陽極層中生成的銀離子向引腳遷移。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED襯底基板及其制備方法、OLED顯示面板。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)技術具有自發光、廣視角、幾乎無窮高的對比度、耗電較低、極高反應速度等優點,采用有機發光二極管技術的OLED顯示面板被廣泛應用于穿戴設備(如手表、手環等)中。
如圖1所示,OLED顯示面板一般包括襯底基板,襯底基板包括襯底、設于襯底上的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)以及平坦層(Planarizing,簡稱PLN層101),PLN層101將襯底上的TFT覆蓋在內;PLN層101上設有顯示區和Bonding區(也叫Pad區),顯示區中設有多個子像素,每個子像素處設置OLED元件,OLED元件包括陽極層102、陰極層以及設置在陽極層102和陰極層之間的有機材料功能層,陽極層102布置在PLN層101上且與對應的TFT電連接;Bonding區中設有用于與使用OLED顯示面板的設備中其他元器件電連接的引腳103(即PIN點)。
使用OLED顯示面板的穿戴設備在進行環境信賴性評價時,需要使穿戴設備處于高溫高濕的環境中進行測試,在高溫高濕的環境中,OLED元件的陽極層102中的金屬銀易發生氧化還原反應,從而生成氧化銀104,生成的氧化銀104會在PLN層101上呈絮狀或枝蔓狀延伸擴展(這個過程也可稱為銀離子遷移),進而很容易延伸至Bonding區中的引腳103處而使得陽極層102與引腳103短路,從而使得穿戴設備顯示異常;為避免陽極層102與引腳103之間短路,可以使陽極層102遠離引腳103,但是這樣會導致Bonding區邊框變寬,從而影響產品結構性能。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED襯底基板,用于解決現有的OLED顯示面板中因陽極層中的金屬銀在高溫高濕環境下發生氧化還原反應而導致陽極層與Bonding區的引腳之間短路的問題;本發明的目的還在于提供一種制備上述OLED襯底基板的方法;本發明的目的還在于提供一種使用上述OLED襯底基板的OLED顯示面板。
為實現上述目的,本發明所提供的OLED襯底基板采用如下技術方案:
該OLED襯底基板包括:
襯底;
PLN層,設于襯底上,PLN層上設有Bonding區和顯示區,Bonding區用于設置引腳,顯示區用于設置OLED元件;
PLN層上設有隔斷帶,隔斷帶設于引腳和OLED元件之間,以用于阻斷OLED元件的陽極層中生成的銀離子向引腳遷移。
本發明所提供的OLED襯底基板的有益效果是:OLED元件的陽極層中的銀在高溫高濕環境下發生氧化還原反應而生成氧化銀,氧化銀會在PLN層上向Bonding區中的引腳處延伸擴展(即銀離子遷移),進而會造成引腳與陽極層短路,而該OLED襯底基板的PLN層上設置隔斷帶,隔斷帶能夠阻斷銀離子向引腳遷移,從而避免引腳與陽極層短路。
進一步地,隔斷帶為設于PLN層上的隔斷槽。在PLN層上設置隔斷槽易于加工,且加工過程中僅需去除對應隔斷槽的PLN層材料即可,不會造成過多材料的浪費。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





