[發明專利]一種OLED襯底基板及其制備方法、OLED顯示面板在審
| 申請號: | 202011047979.X | 申請日: | 2020-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN112186015A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 薛智勇;劉亮亮;彭利滿;白妮妮;高樂 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 襯底 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種OLED襯底基板,包括:
襯底;
PLN層,設于所述襯底上,所述PLN層上設有Bonding區和顯示區,所述Bonding區用于設置引腳,所述顯示區用于設置OLED元件;
其特征在于,
所述PLN層上設有隔斷帶,所述隔斷帶設于所述引腳和所述OLED元件之間,以用于阻斷所述OLED元件的陽極層中生成的銀離子向所述引腳遷移。
2.根據權利要求1所述的OLED襯底基板,其特征在于,所述隔斷帶為設于所述PLN層上的隔斷槽。
3.根據權利要求2所述的OLED襯底基板,其特征在于,所述隔斷槽的槽深等于所述PLN層的厚度。
4.根據權利要求2或3所述的OLED襯底基板,其特征在于,所述隔斷槽被垂直于其長度延伸方向的面截取的截面呈矩形。
5.根據權利要求1或2或3所述的OLED襯底基板,其特征在于,所述隔斷帶設于所述Bonding區。
6.根據權利要求1或2或3所述的OLED襯底基板,其特征在于,所述PLN層的材質為亞克力。
7.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:
如權利要求1-6中任一項所述的OLED襯底基板;
引腳,設于PLN層的Bonding區;
OLED元件,設于PLN層的顯示區。
8.一種OLED襯底基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成PLN層;
設計掩膜板,所述掩膜板上設置遮光區域和透光區域;
使所述掩膜板與所述PLN層對準,且使所述掩膜板上的所述透光區域對準所述PLN層上Bonding區中引腳和所述PLN層上顯示區中OLED元件之間的位置;
基于對準后的所述掩膜板對所述PLN層進行曝光;
對曝光后的所述PLN層進行顯影,以在所述PLN層上形成隔斷槽;
所述隔斷槽用于阻斷所述OLED元件的陽極層中生成的銀離子向所述引腳遷移。
9.根據權利要求8所述的OLED襯底基板的制備方法,其特征在于,所述掩膜板上的透光區域為全透射區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





