[發明專利]具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 202011047828.4
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN114334684A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 郭浩中;丁肇誠
• 申請（專利權）人: 丁肇誠
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/488;H01L21/48
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;謝瓊慧

1.一種具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，供用于半導體組件的打線可靠度測試，該半導體測試芯片包含：半導體基底；及至少一設置在該半導體基底上的測試芯片，其特征在于：該至少一測試芯片包括：

反向該半導體基底的頂面；及

至少一電連接墊，自該頂面對外裸露，包含金屬層及形成于該金屬層的表層的能態層，其中，該能態層結合于該金屬層，且具有與該金屬層不同的能隙。

2.根據權利要求1所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，其特征在于：該能態層包括含鹵素、氮、氧、氫等至少一種元素的金屬化合物。

3.根據權利要求1所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，其特征在于：該金屬層的構成材料為鋁、鋁合金，或銅、銅合金，其中，當該金屬層為銅或銅合金，該能態層選自CuClxOHy、CuxOHy、CuxNy、CuxNyOHz，及CuxOyNz的至少一者，x0,y0,z0；當該金屬層為鋁或鋁合金，該能態層選自AlClx、AlClxOHy、AlOHx、AlxNy、AlxNyOHz，及AlxOyNz的至少一者，x0,y0,z0。

4.根據權利要求1所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，其特征在于：該至少一測試芯片還包含測試電路、位于該測試電路上方并與該測試電路電連接的重布線路，及覆蓋該重布線路并具有至少一開口的介電層，且該至少一電連接墊與該重布線路連接并自該開口對外裸露。

5.根據權利要求4所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，其特征在于：該半導體測試芯片包含數個陣列分布于該半導體基底的測試芯片，陣列分布于該半導體基底的所述測試芯片可通過所述電連接墊串接而形成至少一可獨立對外電連接的導電電路。

6.根據權利要求1所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，其特征在于：該能態層是該金屬層經由電漿或腐蝕性氣體曝氣處理后形成。

7.根據權利要求6所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片，其特征在于：該能態層是該金屬層經由含鹵素、氮、氧、氫的至少一種元素的電漿處理而得。

8.一種具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片制作方法，其特征在于：其包含：

提供半導體組件半成品，該半導體組件半成品具有半導體基底及至少一設置于該半導體基底上的芯片，且該至少一芯片具有自其頂面對外裸露的金屬層；及

利用電漿或腐蝕性氣體對該金屬層進行表面處理，形成結合于該金屬層的表面且具有與該金屬層不同能隙的能態層，以制得該半導體測試芯片。

9.根據權利要求8所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片制作方法，其特征在于：該金屬層的材料選自鋁、鋁合金、銅，或銅合金。

10.根據權利要求8所述的具有可調能態的電連接墊的半導體測試芯片制作方法，其特征在于：該能態層是該金屬層經由含鹵素、氮、氧、氫的至少一種元素的電漿處理而得。