[發明專利]同時監測多種照明條件的方法

在審

• 申請號: 202011047267.8
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN114326313A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 汪恒
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

本發明提供一種同時監測多種照明條件的方法，其采用同一掩膜圖形作為掩膜，在不同的照明條件下，對同一晶圓的不同區域進行曝光，獲得多個圖案。本發明的優點在于，能夠一次曝光即可獲得采用同一掩膜圖形作為掩膜，不同照明條件在同一所述晶圓上形成的圖案，從而可對該圖案進行分析，獲得該照明條件下對應的圖案的關鍵尺寸，進而判斷該照明條件十分可行，本發明方法簡單，且測試時間短，提高了生產效率，節約了成本。

技術領域

本發明涉及半導體光刻領域，尤其涉及一種同時監測多種照明條件的方法。

背景技術

現如今隨著半導體和集成電路制造行業的發展，光刻技術逐漸成為集成電路制造的關鍵之處。廣義上來講，光刻技術即半導體和集成電路制造中利用光學和化學反應原理等方法，將金屬電極、半導體元器件等電路結構圖形復制到在基材上(例如金屬層、半導體層和介電材料層)，形成所需圖形的工藝技術。

用于光刻技術的曝光系統包括光刻照明裝置、掩模板、投影物鏡以及用于精確對準晶圓(wafer)的工件臺。光刻照明裝置需要在掩膜面上提供均勻的視場，然后通過投影物鏡將掩模板上的圖形投影到晶圓上形成光斑，進行曝光。不同的照明條件，在晶圓上形成的光斑不同，使得最終在晶圓上形成的圖形的關鍵尺寸不同。

為了獲得最佳關鍵尺寸對應的照明條件，需要對多個照明條件逐一進測試進行篩選，其測試時間長，降低了生產效率，且不利于節約成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種同時監測多種照明條件的方法，其能夠同時監測多種照明條件，大大縮短了測試時間，提高生產效率，有效節約了成本。

為了解決上述問題，本發明提供了一種同時監測多種照明條件的方法，采用同一掩膜圖形作為掩膜，在不同的照明條件下，對同一晶圓的不同區域進行曝光，獲得多個圖案。

進一步，所述照明條件為在所述晶圓上形成的光斑。

進一步，不同的所述照明條件設置為，所述光斑的形狀和/或大小不同。

進一步，以預設照明條件為基準，微調照明條件的參數，獲得多個照明條件，以使形成的所述光斑的形狀被微調。

進一步，所述晶圓為裸片晶圓。

進一步，所述晶圓為具有預設圖案的晶圓，所述晶圓的不同區域包括晶圓具有預設圖案的區域和/或不具有預設圖案的區域。

進一步，在所述晶圓上，被曝光的區域相鄰設置。

進一步，在所述晶圓上，被曝光的區域間隔設置。

進一步，在所述晶圓上，被曝光的區域無序設置。

進一步，所述方法還包括：預先設置形成所述照明條件的照明參數，在曝光步驟中自動按照預設的照明參數執行。

本發明的優點在于，能夠一次曝光即可獲得采用同一掩膜圖形作為掩膜，不同照明條件在同一所述晶圓上形成的圖案，從而可對該圖案進行分析，獲得該照明條件下對應的圖案的關鍵尺寸，進而判斷該照明條件十分可行，本發明方法簡單，且測試時間短，提高了生產效率，節約了成本。

附圖說明

圖1是采用本發明的第一實施例的方法在晶圓上形成的圖案的示意圖；

圖2是采用本發明的第二實施例的方法在晶圓上形成的圖案的示意圖；

圖3是采用本發明的第三實施例的方法在晶圓上形成的圖案的示意圖；

圖4是采用本發明的第四實施例的方法在晶圓上形成的圖案的示意圖；

圖5是本發明第四實施例中被曝光區域與照射條件的對應表格；

圖6是采用本發明的第五實施例的方法在晶圓上形成的圖案的示意圖。