[發(fā)明專利]硅片堿拋后清洗用添加劑及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011047197.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112143573B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于胤;陳盼盼;楊勇;章圓圓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司
• 主分類號(hào): C11D1/72
• 分類號(hào): C11D1/72;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/60;H01L31/18
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明公開(kāi)了一種硅片堿拋后清洗用添加劑，由1～3質(zhì)量份檸檬酸、0.3～0.5質(zhì)量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2質(zhì)量份乙二醇、1～2質(zhì)量份硫酸鈉、2～3質(zhì)量份氯化鈉和85～97質(zhì)量份水組成。本發(fā)明的添加劑可以直接應(yīng)用于現(xiàn)有清洗設(shè)備上，對(duì)堿拋后的硅片進(jìn)行清洗時(shí)，在清洗液中加入本發(fā)明的添加劑，可改善硅片清洗效果，對(duì)多種痕量級(jí)雜質(zhì)有強(qiáng)力的去除作用，且不會(huì)形成新的沾污，可通過(guò)改善硅片表面的清潔度來(lái)提升電池效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，具體涉及一種硅片堿拋后清洗用添加劑及其應(yīng)用。

背景技術(shù)

在晶硅電池的濕法生產(chǎn)工藝中，存在著多種污染源，空氣中的灰塵顆粒、刻蝕液中的化學(xué)藥品、硅微粉、水中的雜質(zhì)、潤(rùn)滑油、密封膠、設(shè)備容器和管路中的污染等，均有可能導(dǎo)致硅片在清洗中和清洗后出現(xiàn)污染，污染以有機(jī)物、金屬、固體顆粒等多種形式存在。其中危害最大的是金屬污染，因?yàn)楣璞砻娴慕饘匐x子或單質(zhì)在高溫或電場(chǎng)加速的條件下，會(huì)硅片表面擴(kuò)散至硅片內(nèi)部，形成大量深能級(jí)復(fù)合中心，嚴(yán)重降低少子壽命，引起漏電流增加。此外硅片表面富集的各種污染還會(huì)對(duì)后期的氧化、鍍膜造成不良影響，這些問(wèn)題均會(huì)導(dǎo)致電池片良品率下降，效率降低。因此，光伏行業(yè)領(lǐng)域迫切需要一種能在堿拋光后，在氧化以及鍍膜工序前，解決污染問(wèn)題的清洗添加劑。

目前光伏行業(yè)中，在拋光后均采用濕法清洗，先用堿和雙氧水氧化分解去除有機(jī)物，再用鹽酸和氫氟酸配合清洗去除氧化硅和金屬，部分會(huì)額外加入清洗劑。但常規(guī)清洗劑有如下缺陷：只能對(duì)部分類型雜質(zhì)起到清洗作用，且只在雜質(zhì)濃度較高時(shí)有效，尤其是對(duì)于接近儀器檢出限的超痕量PPB-PPM濃度級(jí)別污染不理想；對(duì)于堿金屬離子較為有效，但對(duì)于嚴(yán)重影響電池效率的重金屬元素作用較差；清洗劑自身有嚴(yán)重的沾污，出現(xiàn)除雜后引入新雜質(zhì)的現(xiàn)象，以至于出現(xiàn)污點(diǎn)、斑塊或液體流痕；對(duì)復(fù)雜絨面的清洗效果差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種硅片堿拋后清洗用添加劑及其應(yīng)用，對(duì)堿拋后的硅片進(jìn)行清洗時(shí)，在清洗液中加入本發(fā)明的添加劑，可改善硅片清洗效果，對(duì)多種痕量級(jí)雜質(zhì)有強(qiáng)力的去除作用，且不會(huì)形成新的沾污，可通過(guò)改善硅片表面的清潔度來(lái)提升電池效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種硅片堿拋后清洗用添加劑，由1～3質(zhì)量份檸檬酸、0.3～0.5質(zhì)量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2質(zhì)量份乙二醇、1～2質(zhì)量份硫酸鈉、2～3質(zhì)量份氯化鈉和85～97質(zhì)量份水組成。

優(yōu)選的，上述硅片堿拋后清洗用添加劑，由1～2質(zhì)量份檸檬酸、0.3～0.4質(zhì)量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2質(zhì)量份乙二醇、1～1.5質(zhì)量份硫酸鈉、2.5～3質(zhì)量份氯化鈉和90～95質(zhì)量份水組成。

優(yōu)選的，所述水為去離子水。

本發(fā)明還提供一種硅片堿拋后清洗用清洗液，其含有酸溶液和上述的添加劑，添加劑與酸溶液的質(zhì)量比為0.5～2:100；所述酸溶液為氫氟酸的水溶液。

優(yōu)選的，所述酸溶液中含有5～15wt%的氫氟酸。

優(yōu)選的，所述酸溶液中還配入了鹽酸。

優(yōu)選的，所述酸溶液中含有5～15wt%的氫氟酸和5～15wt%的鹽酸。

本發(fā)明還提供一種硅片堿拋后清洗方法，利用上述的清洗液對(duì)堿拋后的硅片進(jìn)行清洗。

優(yōu)選的，上述硅片堿拋后清洗方法，其具體步驟包括：

1）配制添加劑：將1～3質(zhì)量份檸檬酸、0.3～0.5質(zhì)量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2質(zhì)量份乙二醇、1～2質(zhì)量份硫酸鈉、2～3質(zhì)量份氯化鈉加入到85～97質(zhì)量份水中，混合均勻配成添加劑；

2）配制清洗液：將步驟1）制成的添加劑加到酸溶液中，混合均勻配成清洗液；添加劑與酸溶液的質(zhì)量比為0.5～2:100；酸溶液為氫氟酸的水溶液；酸溶液中含有5～15wt%的氫氟酸；

3）將單晶或多晶硅片浸入步驟2）制得的清洗液中，清洗2～3min。