[發(fā)明專(zhuān)利]一種獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011046345.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112257306A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡守天;沈昕怡;周玉駿;黨寧員;吳章漢;余信義;蔣杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 武漢鋼鐵有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06F30/23 | 分類(lèi)號(hào): | G06F30/23;G06F30/28;G06F30/17;C21D8/12;G06F119/08 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專(zhuān)利代理有限公司 42102 | 代理人: | 李丹 |
| 地址: | 430083 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 獲得 優(yōu)良 取向 電工 硅酸 底層 質(zhì)量 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法,根據(jù)熱量傳遞和流體運(yùn)動(dòng)的基本理論,采用有限元軟件,建立環(huán)形爐溫度場(chǎng)模型;針對(duì)現(xiàn)有加熱工藝,利用溫度場(chǎng)模型,計(jì)算該工藝下不同時(shí)刻的鋼卷頂?shù)诇夭钋闆r,分析造成結(jié)果的原因,制定多種優(yōu)化方向,使用溫度場(chǎng)模型進(jìn)行迭代計(jì)算分析比較,最終輸出最佳優(yōu)化方案;根據(jù)最佳優(yōu)化方案優(yōu)化進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)改進(jìn)。鋼卷溫差縮小,采用工藝仿真模型和生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)工藝試驗(yàn)相結(jié)合的模式,確定最佳的工藝方案,使得鋼卷板寬方向在升溫過(guò)程中溫差降低100℃。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶粒取向電工鋼制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法。
背景技術(shù)
取向電工鋼經(jīng)脫碳退火后,表面形成富含SiO2的氧化層,表面涂敷MgO隔離劑后卷曲,鋼卷經(jīng)高溫退火處理,在高溫退火過(guò)程中,SiO2和MgO形成硅酸鎂底層。關(guān)于如何獲得優(yōu)良的硅酸鎂底層,在日本方面有很多研究,主要從取向硅鋼脫碳退火過(guò)程,控制爐內(nèi)的溫度、露點(diǎn)和分壓比,控制脫碳退火后表面形成氧化層結(jié)構(gòu),獲得優(yōu)良的硅酸鎂底層結(jié)構(gòu),氧化層中氧含量較少,形成的硅酸鎂底層較薄,硅酸鎂底層形成的張力小,附著性較差,磁性能不理想。氧化層中氧含量較多,形成硅酸鎂底層較厚,張力大,附著性好,表面容易形成針孔狀亮點(diǎn)缺陷。關(guān)于氧化鎂隔離劑的研究?jī)?nèi)容也比較多,大多從MgO的CAA值,含水率以及MgO添加劑對(duì)硅酸鎂底層的影響方面研究,從而獲得優(yōu)良的硅酸鎂底層。
取向硅鋼的生產(chǎn)過(guò)程中,為了獲得理想的晶體取向,獲得單一(110)[001]織構(gòu)(即Goss織構(gòu)),必須進(jìn)行高溫二次再結(jié)晶退火。環(huán)型爐高溫退火技術(shù)是目前在取向硅鋼工業(yè)化生產(chǎn)中應(yīng)用廣泛且較為成熟的一項(xiàng)技術(shù),具有產(chǎn)量高、能耗低、維護(hù)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)。原料鋼卷在環(huán)形爐膛內(nèi)以金屬內(nèi)罩覆蓋,高速燒嘴布置在爐膛側(cè)壁,以高速高溫的煙氣攪動(dòng)爐內(nèi)氣氛以達(dá)到對(duì)內(nèi)罩的均勻加熱,再通過(guò)內(nèi)罩對(duì)鋼卷進(jìn)行輻射加熱。盡量在設(shè)備設(shè)計(jì)上進(jìn)行了諸多優(yōu)化,以盡可能達(dá)到均勻加熱的目的,但整卷退火的形式所帶來(lái)的大溫差卻是不可避免的,導(dǎo)致在升溫階段不均勻,層間隔離涂層所釋放的結(jié)晶水造成鋼卷卷層間氣氛和露點(diǎn)的不均勻性,所形成的硅酸鎂底層顏色出現(xiàn)不均勻,在支撐底板測(cè)長(zhǎng)期出現(xiàn)月牙形氧化色。
鋼卷在高溫退火過(guò)程中,最高經(jīng)歷1200℃的高溫凈化處理較長(zhǎng)時(shí)間的熱處理,鋼卷本身由于自身的重量而蠕變變形,或者熱膨脹受到限制,從而造成各種形狀缺陷,導(dǎo)致成品率降低。在最嚴(yán)重的情況下,鋼板在高溫退火后不能再進(jìn)入下工序涂層平整退火設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法,以克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法,包括如下步驟:
S100、根據(jù)熱量傳遞和流體運(yùn)動(dòng)的基本理論,采用有限元軟件,建立環(huán)形爐溫度場(chǎng)模型;
S200、針對(duì)現(xiàn)有加熱工藝,利用溫度場(chǎng)模型,計(jì)算該工藝下不同時(shí)刻的鋼卷頂?shù)诇夭钋闆r,分析造成結(jié)果的原因,制定多種優(yōu)化方向,使用溫度場(chǎng)模型進(jìn)行迭代計(jì)算分析比較,最終輸出最佳優(yōu)化方案;
S300、根據(jù)最佳優(yōu)化方案優(yōu)化進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)改進(jìn)。
進(jìn)一步,溫度場(chǎng)模型包括內(nèi)罩、導(dǎo)流蓋板、墊板、底板、進(jìn)氣套管和立柱,內(nèi)罩內(nèi)從上至下依次布置導(dǎo)流蓋板、鋼卷、墊板、底板和支柱;立柱為空心柱,其內(nèi)布置有進(jìn)氣套管;墊板與底板相接觸的面上開(kāi)設(shè)導(dǎo)流槽,以對(duì)經(jīng)進(jìn)氣套管進(jìn)入的氣體進(jìn)行切割,改變氣流路徑;鋼卷外距墊板預(yù)設(shè)高度處纏繞隔熱材料。
進(jìn)一步,隔熱材料為多晶莫來(lái)石隔熱棉。
進(jìn)一步,墊板上所開(kāi)設(shè)的導(dǎo)流槽的深度為25mm,寬為50mm;墊板上所開(kāi)設(shè)的導(dǎo)流槽的數(shù)量為多個(gè),每道導(dǎo)流槽均沿墊板的徑向進(jìn)行布置,且每道導(dǎo)流槽的兩端分別貫穿墊板的內(nèi)圓周面和外圓周面。
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