[發(fā)明專利]一種獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011046345.2
• 申請(qǐng)日: 2020-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN112257306A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡守天;沈昕怡;周玉駿;黨寧員;吳章漢;余信義;蔣杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢鋼鐵有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/23
• 分類號(hào): G06F30/23;G06F30/28;G06F30/17;C21D8/12;G06F119/08
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 李丹

1.一種獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S100、根據(jù)熱量傳遞和流體運(yùn)動(dòng)的基本理論，采用有限元軟件，建立環(huán)形爐溫度場(chǎng)模型；

S200、針對(duì)現(xiàn)有加熱工藝，利用溫度場(chǎng)模型，計(jì)算該工藝下不同時(shí)刻的鋼卷頂?shù)诇夭钋闆r，分析造成結(jié)果的原因，制定多種優(yōu)化方向，使用溫度場(chǎng)模型進(jìn)行迭代計(jì)算分析比較，最終輸出最佳優(yōu)化方案；

S300、根據(jù)最佳優(yōu)化方案優(yōu)化進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)改進(jìn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述溫度場(chǎng)模型包括內(nèi)罩、導(dǎo)流蓋板、墊板、底板、進(jìn)氣套管和立柱，所述內(nèi)罩內(nèi)從上至下依次布置導(dǎo)流蓋板、鋼卷、墊板、底板和支柱；所述立柱為空心柱，其內(nèi)布置有進(jìn)氣套管，所述墊板與底板相接觸的面上開設(shè)導(dǎo)流槽，以對(duì)經(jīng)進(jìn)氣套管進(jìn)入的氣體進(jìn)行切割，改變氣流路徑；鋼卷外距墊板預(yù)設(shè)高度處纏繞隔熱材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述隔熱材料為多晶莫來(lái)石隔熱棉。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述墊板上所開設(shè)的導(dǎo)流槽的深度為25mm，寬為50mm；所述墊板上所開設(shè)的導(dǎo)流槽的數(shù)量為多個(gè)，每道導(dǎo)流槽均沿墊板的徑向進(jìn)行布置，且每道導(dǎo)流槽的兩端分別貫穿墊板的內(nèi)圓周面和外圓周面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述墊板上相鄰兩道導(dǎo)流槽之間的夾角為45°。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述隔熱材料距離墊板的高度為400mm～600mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述隔熱材料距離墊板的高度為500mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述隔熱材料接頭處通過(guò)捆帶鎖扣鎖緊，周向通過(guò)鐵絲進(jìn)行固定。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述導(dǎo)流蓋板為小于鋼卷直徑100mm～200mm的鋼板，距離鋼卷頂部50mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述獲得優(yōu)良取向電工鋼硅酸鎂底層和板型質(zhì)量的方法，其特征在于，所述進(jìn)氣套管內(nèi)通過(guò)隔板分隔進(jìn)氣通路和出氣通路。