[發明專利]濾波器和濾波器的制備方法

在審

• 申請號: 202011045509.X
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112104334A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 龔頌斌;楊巖松;呂若辰
• 申請（專利權）人: 偲百創（深圳）科技有限公司
• 主分類號: H03H7/09
• 分類號: H03H7/09
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開了一種濾波器和濾波器的制備方法。該濾波器包括晶圓和嵌入式電感；晶圓上設置有電容，電容和嵌入式電感通過連接部連接。通過在晶圓上設置電容，不僅可以保證電容具有高品質因數，同時可以以比較小的占用空間產生電容值比較大的電容，減小電容的占用空間。并且在基板內形成嵌入式電感，可以保證電感的高品質因數。當晶圓上的電容與嵌入式電感連接時，可以使高品質因數的電容和電感形成性能良好的濾波器，滿足不同應用場合對濾波器的性能要求，提高了濾波器的適用性。而且，電容元件和電感元件單獨形成，可以更好的控制每個元件的良品率，從而提高電容元件和電感元件連接后形成的濾波器的良品率，從而有利于降低濾波器的成本。

技術領域

本發明實施例涉及濾波技術領域，尤其涉及一種濾波器和濾波器的制備方法。

背景技術

射頻濾波器是現代無線通信前端的重要組成部分。射頻濾波器可以選擇給定通信標準的頻段，并抑制環境中的干擾和噪聲。性能較好的射頻濾波器有助于提高收發器的信噪比，減小其對周邊環境非預期的電磁輻射。

射頻濾波器可以包括聲學器件，也可以包括電容元件和電感元件。基于電容元件和電感元件的濾波器(LC濾波器)可以提供充分優良的寬帶性能。通常，LC濾波器可以采用低溫共燒陶瓷(Low-temperature cofired ceramics，LTCC)工藝或與厚金屬工藝相兼容的半導體晶圓級工藝在同一工藝體系中形成高品質因數的電容元件和電感元件。LTCC工藝可以將多層金屬層與多層低損耗陶瓷進行集成，可以形成高品質因數的多線圈電感。然而，LTCC工藝難以形成集成的高介電薄膜，因此在LTCC工藝中難以形成電容值比較大的電容元件。而半導體晶圓級工藝可以實現高品質因數的緊湊型電容元件，但缺乏足夠厚的金屬以實現高品質因數的電感元件。

發明內容

本發明提供一種濾波器和濾波器的制備方法，以提高濾波器的性能。

第一方面，本發明實施例提供了一種濾波器，包括晶圓和嵌入式電感；所述晶圓上設置有電容，所述電容和所述嵌入式電感通過連接部連接。

可選地，所述晶圓上設置有多個電容；所述連接部為多個；每一所述電容的兩個極板分別通過一所述連接部與所述嵌入式電感連接。

可選地，所述晶圓上還設置有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述電容，并暴露所述連接部與所述晶圓連接的區域。

可選地，所述嵌入式電感包括多層金屬層；多層所述金屬層形成至少一個電感；所述電感的第一端通過所連接部與所述電容的一端連接，所述電感的第二端通過所述連接部與所述電容的另一端或者與地端連接。

可選地，每一所述電感由一層金屬層或多層金屬層形成。

可選地，所述嵌入式電感包括多個所述電感，至少兩個所述電感電連接，至少兩個所述電感的公共端共用同一所述連接部。

可選地，多層所述金屬層包括頂層金屬層和片內金屬層，所述電感的第一端設置于所述片內金屬層，所述電感的第一端通過過孔與所述頂層金屬層連接；其中，所述頂層金屬層為所述嵌入式電感與所述晶圓相鄰一側的第一層金屬層，所述片內金屬層為多層所述金屬層中所述頂層金屬層以外的其他金屬層。

可選地，所述嵌入式電感還包括絕緣層，所述絕緣層設置于相鄰所述金屬層之間。

可選地，所述連接部包括焊接球和焊盤；所述焊接球設置于所述晶圓上，并與所述電容接觸；所述焊盤設置于所述嵌入式電感上，并與所述電感接觸。

第二方面，本發明實施例還提供了一種濾波器的制備方法，包括：

在晶圓上采用半導體工藝形成電容；

在基板上形成嵌入式電感；

所述晶圓上的電容通過倒裝方法與所述嵌入式電感連接。