[發明專利]一種顯示基板的制備方法及顯示基板、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011044909.9 | 申請日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN112151445A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 蔣志亮;趙攀 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板的制備方法及顯示基板、顯示裝置,涉及但不限于顯示技術領域,所述顯示基板包括顯示區域和位于顯示區域一側的綁定區域,所述綁定區域包括靠近顯示區域的隔離區和位于所述隔離區的遠離顯示區域一側的焊盤區;所述顯示基板的制備方法包括:在基底的顯示區域形成驅動結構層,在基底的綁定區域形成綁定結構層;在顯示區域的驅動結構層上形成發光結構層,在所述隔離區的綁定結構層上形成隔離壩;在顯示區域形成封裝結構層,在綁定區域形成無機封裝層,無機封裝層包裹所述隔離壩;去除所述焊盤區的無機封裝層。本公開實施例的顯示基板的制備方法,在無機封裝層的成膜過程中可不使用掩膜版,可節省生產成本。
技術領域
本公開涉及但不限于顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板的制備方法及顯示基板、顯示裝置。
背景技術
近些年隨著有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)顯示技術的興起,市場對AMOLED顯示裝置的需求不斷提升。由于有機發光二極管(OLED)顯示產品采用有機發光材料自主發光的模式,因此在生產工藝中,需要考慮如何隔絕外部水氧侵入顯示區域,避免外部水氧損壞有機發光材料而影響顯示。一些技術中采用薄膜封裝工藝將顯示區域的OLED發光元件封裝,以隔絕外部水氧,薄膜封裝結構包括無機封裝層和有機封裝層,無機封裝層在制備過程中采用化學氣相沉積的方式制成,在化學氣相沉積過程中需要配合使用掩膜版以將無機封裝層形成在局部區域,這增加了生產成本。
發明內容
本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法及顯示基板、顯示裝置,在無機封裝層制備過程中不需要使用掩膜版,可節約生產成本。
本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法,所述顯示基板包括顯示區域和位于所述顯示區域一側的綁定區域,所述綁定區域包括靠近所述顯示區域的隔離區和位于所述隔離區的遠離顯示區域一側的焊盤區;所述制備方法包括:
在基底的顯示區域形成驅動結構層,在基底的綁定區域形成綁定結構層;所述驅動結構層包括像素驅動電路;
在顯示區域的驅動結構層上形成發光結構層,在所述隔離區的綁定結構層上形成隔離壩,所述發光結構層包括與所述像素驅動電路連接的發光元件;
在顯示區域形成封裝結構層,在綁定區域形成無機封裝層,所述無機封裝層包裹所述隔離壩;
去除所述焊盤區的無機封裝層。
可選地,所述在顯示區域形成封裝結構層,在綁定區域形成無機封裝層,包括:
在形成有所述發光結構層和所述隔離壩的基底的整個表面形成第一無機封裝層;
在顯示區域的第一無機封裝層上形成有機封裝層;
在形成有所述有機封裝層的基底的整個表面形成第二無機封裝層。
可選地,所述去除所述焊盤區的無機封裝層之前,所述制備方法還包括:
在形成有所述第二無機封裝層的基底的整個表面形成保護層;
在所述保護層上形成第一觸控金屬層,所述第一觸控金屬層包括設置在顯示區域的連接橋;
在形成有所述第一觸控金屬層的基底的整個表面形成觸控絕緣層;
所述去除所述焊盤區的無機封裝層,包括:將焊盤區的所述觸控絕緣層、所述保護層、所述第二無機封裝層和所述第一無機封裝層去除;
所述去除所述焊盤區的無機封裝層之后,所述制備方法還包括:在所述觸控絕緣層上形成第二觸控金屬層,所述第二觸控金屬層包括設置在顯示區域的沿第一方向排列的多個第一觸控電極,以及沿第二方向間隔排列的多個第二觸控電極,相鄰兩個第一觸控電極一體連接,相鄰兩個第二觸控電極通過所述觸控絕緣層上設置的過孔與所述連接橋連接。
可選地,所述去除所述焊盤區的無機封裝層之前,所述制備方法還包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





