[發(fā)明專利]一種顯示基板的制備方法及顯示基板、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011044909.9 | 申請日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN112151445A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣志亮;趙攀 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,所述顯示基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域一側(cè)的綁定區(qū)域,所述綁定區(qū)域包括靠近所述顯示區(qū)域的隔離區(qū)和位于所述隔離區(qū)的遠離顯示區(qū)域一側(cè)的焊盤區(qū);其特征在于,所述制備方法包括:
在基底的顯示區(qū)域形成驅(qū)動結(jié)構(gòu)層,在基底的綁定區(qū)域形成綁定結(jié)構(gòu)層,所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)層包括像素驅(qū)動電路;
在顯示區(qū)域的驅(qū)動結(jié)構(gòu)層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層,在所述隔離區(qū)的綁定結(jié)構(gòu)層上形成隔離壩,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括與所述像素驅(qū)動電路連接的發(fā)光元件;
在顯示區(qū)域形成封裝結(jié)構(gòu)層,在綁定區(qū)域形成無機封裝層,所述無機封裝層包裹所述隔離壩;
去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述在顯示區(qū)域形成封裝結(jié)構(gòu)層,在綁定區(qū)域形成無機封裝層,包括:
在形成有所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述隔離壩的基底的整個表面形成第一無機封裝層;
在顯示區(qū)域的第一無機封裝層上形成有機封裝層;
在形成有所述有機封裝層的基底的整個表面形成第二無機封裝層。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層之前,所述制備方法還包括:
在形成有所述第二無機封裝層的基底的整個表面形成保護層;
在所述保護層上形成第一觸控金屬層,所述第一觸控金屬層包括設(shè)置在顯示區(qū)域的連接橋;
在形成有所述第一觸控金屬層的基底的整個表面形成觸控絕緣層;
所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層,包括:將焊盤區(qū)的所述觸控絕緣層、所述保護層、所述第二無機封裝層和所述第一無機封裝層去除;
所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層之后,所述制備方法還包括:在所述觸控絕緣層上形成第二觸控金屬層,所述第二觸控金屬層包括設(shè)置在顯示區(qū)域的沿第一方向排列的多個第一觸控電極,以及沿第二方向間隔排列的多個第二觸控電極,相鄰兩個第一觸控電極一體連接,相鄰兩個第二觸控電極通過所述觸控絕緣層上設(shè)置的過孔與所述連接橋連接。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層之前,所述制備方法還包括:
在形成有所述第二無機封裝層的基底的整個表面形成保護層;
在所述保護層上形成觸控金屬層,所述觸控金屬層包括設(shè)置在顯示區(qū)域的多個觸控電極;
所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層,包括:將焊盤區(qū)的所述保護層、所述第二無機封裝層和所述第一無機封裝層去除。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述將焊盤區(qū)的所述保護層、所述第二無機封裝層和所述第一無機封裝層去除之后,所述制備方法還包括:形成覆蓋所述觸控金屬層的覆蓋層。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層之后,所述制備方法還包括:
在形成有所述封裝結(jié)構(gòu)層和所述無機封裝層的基底的整個表面形成保護層;
在所述保護層上形成第一觸控金屬層,所述第一觸控金屬層包括設(shè)置在顯示區(qū)域的連接橋;
在形成有所述第一觸控金屬層的基底的整個表面形成觸控絕緣層;
將焊盤區(qū)的所述觸控絕緣層和所述保護層去除;
在所述觸控絕緣層上形成第二觸控金屬層,所述第二觸控金屬層包括設(shè)置在顯示區(qū)域的沿第一方向排列的多個第一觸控電極,以及沿第二方向間隔排列的多個第二觸控電極,相鄰兩個第一觸控電極一體連接,相鄰兩個第二觸控電極通過所述觸控絕緣層上設(shè)置的過孔與所述連接橋連接。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述去除所述焊盤區(qū)的無機封裝層之后,所述制備方法還包括:
在形成有所述封裝結(jié)構(gòu)層和所述無機封裝層的基底的整個表面形成保護層;
在所述保護層上形成觸控金屬層,所述觸控金屬層包括設(shè)置在顯示區(qū)域的多個觸控電極;
將焊盤區(qū)的所述保護層去除;
形成覆蓋所述觸控金屬層的覆蓋層。
8.一種顯示基板,采用權(quán)利要求1-7任一項所述的顯示基板的制備方法制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





