[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202011042971.4
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112086471B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 榮孟欣;曾柯;葉寧
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1339;G02F1/1362;G03F1/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 黃溪;臧建明

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上沉積柵金屬層，并通過光刻工藝形成柵極和掃描線；

在所述柵金屬層上方沉積緩沖層，并在緩沖層上形成半導體圖形；

在所述半導體圖形上方設置源極、漏極和數據線，以形成薄膜晶體管；

在所述緩沖層上方沉積保護層，并通過半掩膜曝光工藝進行光刻，以使所述保護層在第一區域的厚度小于所述保護層的對應于所述薄膜晶體管的區域的厚度，所述第一區域與所述陣列基板的像素區域相對應；

在所述緩沖層上方沉積保護層，并通過半掩膜曝光工藝進行光刻，還包括：

使所述保護層形成第二區域，所述保護層在所述第二區域的表面為平坦面，所述第二區域的各個位置到所述襯底基板的相對距離均相同，且所述第二區域與隔墊物的位置對應，以使隔墊物偏移后復位。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上方沉積保護層，并通過半掩膜曝光工藝進行光刻，具體包括：

在所述緩沖層上方沉積保護層；

使用半色調掩膜版對所述保護層進行光刻，其中，所述半色調掩膜板具有半透光區域，所述第一區域與所述半透光區域相對應。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二區域位于所述掃描線的上方，且所述第二區域的投影延伸至所述掃描線的外側。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二區域為使用半色調掩膜版對所述保護層進行光刻而形成，且所述半色調掩膜板具有半透光區域，所述第二區域和所述掃描線重合的部分與所述半透光區域相對應。

5.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上方沉積保護層，通過半掩膜曝光工藝進行光刻后，還包括：在所述保護層的上方形成透明導電層，并通過光刻工藝形成像素電極。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括層疊設置的襯底基板、薄膜晶體管和保護層，所述薄膜晶體管包括依次層疊設置的柵極、緩沖層、半導體層、源漏極金屬層，所述保護層在第一區域的厚度小于所述保護層的對應所述薄膜晶體管的部分的厚度，所述第一區域與所述陣列基板的像素區域相對應；

所述保護層上還具有第二區域，所述保護層在所述第二區域的表面為平坦面，所述第二區域到所述襯底基板的相對距離均相同，且所述第二區域與隔墊物的位置對應，用于使所述隔墊物偏移后復位。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二區域位于掃描線的上方，且所述第二區域的投影延伸至所述掃描線外。

8.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層在所述第一區域的厚度小于所述保護層其余部分的厚度。

9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第二區域的邊緣與所述隔墊物的距離大于或等于8μm。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求6-9任一項所述的陣列基板。