[發(fā)明專利]一種電容式麥克風(fēng)及其制造方法

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• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112153544A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘曉輝;屠蘭蘭;張睿
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞聲新能源發(fā)展（常州）有限公司科教城分公司;瑞聲聲學(xué)科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H04R19/00
• 分類號: H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312
• 代理人: 龍丹丹

1.一種電容式麥克風(fēng)，包括具有背腔的基底、固定于所述基底上的背板、以及與所述背板相對間隔設(shè)置的振膜電極，所述背板朝向所述振膜電極的一側(cè)設(shè)有背板電極，其特征在于，所述背板電極上設(shè)有隔離層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容式麥克風(fēng)還包括設(shè)于所述背板和所述振膜電極之間的支撐部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述振膜電極貼于所述基底上，所述支撐部固定于所述振膜電極或所述基底上，所述背板通過所述支撐部固定支撐于所述基底。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述背板與所述支撐部為一體成型結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述支撐部為環(huán)形結(jié)構(gòu)或多邊框型結(jié)構(gòu)并圍繞所述振膜電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述背板、背板電極以及隔離層上設(shè)有多個貫穿的聲孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述振膜電極上設(shè)有貫穿的通孔。

8.一種電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一硅基板，并在硅基板上沉積第一犧牲層；

在所述第一犧牲層的邊緣刻蝕形成有貫穿的第一凹槽；

在所述第一犧牲層上沉積振膜電極層，且沉積到所述第一凹槽內(nèi)的部分與所述硅基板連接；

在所述振膜電極層上刻蝕多個通孔從而形成振膜電極，所述多個通孔圍繞振膜電極的中間區(qū)域間隔設(shè)置從而形成所述振膜電極的振動部；

在所述振膜電極層上沉積第二犧牲層，且沉積到所述多個通孔的部分與所述第一犧牲層連接；

在所述第一犧牲層上依次沉積隔離層以及背板電極層；

將所述背板電極層、隔離層以及第二犧牲層的邊緣部分刻蝕形成有貫穿的第二凹槽；

在背板電極層上沉積背板層，且沉積到所述第二凹槽的部分與所述振膜電極層連接，從而形成支撐部；

在背板層、背板電極層以及隔離層上貫穿的刻蝕有多個聲孔；

在所述硅基板底部刻蝕形成露出所述第一犧牲層底面一部分的背腔；

去除第一犧牲層和第二犧牲層，從而在所述隔離層與振膜電極層之間形成聲腔，并使所述聲孔與所述聲腔連通，以及所述通孔分別與所述聲腔和背腔連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，所述振膜電極層和背板電極層的材料為多晶硅，所述背板層的材料為氮化硅，所述隔離層的材料為不摻雜多晶硅、氮化硅或碳化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，所述第一犧牲層和第二犧牲層的材料為氧化硅，通過濕刻蝕的方法去除所述第一犧牲層和第二犧牲層。