[發(fā)明專利]一種黑色氧化鋯陶瓷及其制備方法、陶瓷天線

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011039067.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN114276135A
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳戈;林信平;唐威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司;汕尾比亞迪電子有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/48
• 分類號(hào): C04B35/48;H01Q1/24;H01Q1/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及一種黑色氧化鋯陶瓷，所述黑色氧化鋯陶瓷包括以下重量百分比的物相：3.5?48wt%的四方相氧化鋯、32?76.25wt%的ZrSiO₄和16.5?27wt%的尖晶石黑色料，所述尖晶石黑色料的化學(xué)式表示為[Co_eNi_fMn_gZn_hMg_(1?e?f?g?h)][Fe_xCr_yAl_(1?x?y)]₂O₄，其中，0≤e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，0≤h≤0.5，0.5≤e+f+g≤1；0≤x≤1，0≤y≤1，0＜x+y≤1；其中，所述四方相氧化鋯為氧化釔、五氧化二鈮和/或五氧化二鉭與氧化鋯形成的固溶體，以所述氧化鋯復(fù)合陶瓷元素含量為基準(zhǔn)，釔的重量百分比為1.2?5.5%，鈮和/或鉭的重量百分比為0.6?4wt%。該黑色氧化鋯陶瓷介電常數(shù)低、韌性好、輕量化和易于加工。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氧化鋯陶瓷領(lǐng)域，具體地，涉及一種黑色氧化鋯陶瓷及其制備方法、陶瓷天線。

背景技術(shù)

手機(jī)天線需要在整個(gè)高頻段擁有穩(wěn)定的和主機(jī)匹配的低介電常數(shù)和低損耗，起到過濾雜波讓信號(hào)傳輸更通暢的作用。若以氧化鋯陶瓷作為手機(jī)天線，則需要解決陶瓷高脆性難加工的問題，同時(shí)還需要具有低介電常數(shù)的特性，以適應(yīng)5G時(shí)代的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種黑色氧化鋯陶瓷及其制備方法、陶瓷天線，該黑色氧化鋯陶瓷介電常數(shù)低、韌性好、輕量化和易于加工，適用于陶瓷天線。

本發(fā)明的第一方面是提供一種黑色氧化鋯陶瓷，所述黑色氧化鋯陶瓷包括以下重量百分比的物相：3.5-48wt%的四方相氧化鋯、32-76.25wt%的ZrSiO₄和16.5-27wt%的尖晶石黑色料，所述尖晶石黑色料的化學(xué)式表示為[Co_eNi_fMn_gZn_hMg_(1-e-f-g-h)][Fe_xCr_yAl_(1-x-y)]₂O₄，其中，0≤e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，0≤h≤0.5，0.5≤e+f+g≤1；0≤x≤1，0≤y≤1，0＜x+y≤1；其中，所述四方相氧化鋯為氧化釔、五氧化二鈮和/或五氧化二鉭與氧化鋯形成的固溶體，以所述氧化鋯復(fù)合陶瓷元素含量為基準(zhǔn)，釔的重量百分比為1.2-5.5%，鈮和/或鉭的重量百分比為0.6-4wt%。

優(yōu)選地，所述黑色氧化鋯陶瓷包括以下重量百分比的物相：15-43wt%的四方相氧化鋯、40-55wt%的ZrSiO₄和18-23wt%的尖晶石黑色料。

優(yōu)選地，所述釔的重量百分比為1.5-3.7%，所述鈮和/或鉭的重量百分比為1-2.7%。

優(yōu)選地，所述黑色氧化鋯陶瓷的介電常數(shù)低于20，密度低于5.5g/cm³，韌性大于6Mpam^1/2，減薄速度大于等于35絲/h，加工開裂率低于5%。

本發(fā)明的第二方面是提供一種黑色氧化鋯陶瓷的制備方法，所述制備方法包括：將釔穩(wěn)定的氧化鋯、五氧化二鈮和/或五氧化二鉭、氧化硅和尖晶石黑色料的粉體混合，經(jīng)研磨處理后，得到混合漿料，對(duì)所述混合漿料進(jìn)行干燥、成型、燒結(jié)，得到黑色氧化鋯陶瓷；