[發(fā)明專利]一種黑色氧化鋯陶瓷及其制備方法、陶瓷天線

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• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN114276135A
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳戈;林信平;唐威
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司;汕尾比亞迪電子有限公司
• 主分類號: C04B35/48
• 分類號: C04B35/48;H01Q1/24;H01Q1/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種黑色氧化鋯陶瓷，其特征在于，所述黑色氧化鋯陶瓷包括以下重量百分比的物相：3.5-48wt%的四方相氧化鋯、32-76.25wt%的ZrSiO₄和16.5-27wt%的尖晶石黑色料，所述尖晶石黑色料的化學(xué)式表示為[Co_eNi_fMn_gZn_hMg_(1-e-f-g-h)][Fe_xCr_yAl_(1-x-y)]₂O₄，其中，0≤e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，0≤h≤0.5，0.5≤e+f+g≤1；0≤x≤1，0≤y≤1，0＜x+y≤1；其中，所述四方相氧化鋯為氧化釔、五氧化二鈮和/或五氧化二鉭與氧化鋯形成的固溶體，以所述氧化鋯復(fù)合陶瓷元素含量為基準(zhǔn)，釔的重量百分比為1.2-5.5%，鈮和/或鉭的重量百分比為0.6-4wt%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑色氧化鋯陶瓷，其特征在于，所述黑色氧化鋯陶瓷包括以下重量百分比的物相：15-43wt%的四方相氧化鋯、40-55wt%的ZrSiO₄和18-23wt%的尖晶石黑色料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑色氧化鋯陶瓷，其特征在于，所述釔的重量百分比為1.5-3.7%，所述鈮和/或鉭的重量百分比為1-2.7%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項所述的黑色氧化鋯陶瓷，其特征在于，所述黑色氧化鋯陶瓷的介電常數(shù)低于20，密度低于5.5g/cm³，韌性大于6 Mpam^1/2，減薄速度大于等于35絲/h，加工開裂率低于5%。

5.一種黑色氧化鋯陶瓷的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將釔穩(wěn)定的氧化鋯、五氧化二鈮和/或五氧化二鉭、氧化硅和尖晶石黑色料的粉體混合，經(jīng)研磨處理后，得到混合漿料，對所述混合漿料進行干燥、成型、燒結(jié)，得到黑色氧化鋯陶瓷；

其中，以所述粉體總量為基準(zhǔn)，所述粉體含有1-4wt%的氧化鈮和/或氧化鉭，16.5-27wt%的尖晶石黑色料，10.5-25wt%的氧化硅，44-72wt%的氧化鋯，且所述氧化鋯含有2-4mol%的氧化釔；所述尖晶石黑色料的化學(xué)式表示為[Co_eNi_fMn_gZn_hMg_(1-e-f-g-h)][Fe_xCr_yAl_(1-x-y)]₂O₄，其中，0≤e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，0≤h≤0.5，0.5≤e+f+g≤1；0≤x≤1，0≤y≤1，0＜x+y≤1。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述粉體含有1.5-3.5wt%的氧化鈮和/或氧化鉭，18-23wt%的尖晶石黑色料，13-18wt%的氧化硅，55.5-67.5wt%的氧化鋯，且所述氧化鋯含有2-4mol%的氧化釔。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)的溫度為1250-1350℃，燒結(jié)時間為1-4h。

8.一種由權(quán)利要求5-7任意一項所述的制備方法制得的黑色氧化鋯陶瓷。

9.一種陶瓷天線，其特征在于，所述陶瓷天線包括權(quán)利要求1-4和8中任意一項所述的黑色氧化鋯陶瓷，以及金屬導(dǎo)體。