[發明專利]一種激光器芯片老化和LIV測試檢測方法、系統在審
| 申請號: | 202011038287.9 | 申請日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN111880087A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 張華;薛銀飛;黃河 | 申請(專利權)人: | 上海菲萊測試技術有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28;H01S3/00 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 黃啟兵 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新區中國(*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光器 芯片 老化 liv 測試 檢測 方法 系統 | ||
1.一種激光器芯片進行老化和LIV測試的檢測方法,其特征在于,處理器根據上位機指示進行老化和LIV測試;在進行老化測試時,所述處理器通過溫度控制和監控模塊控制熱沉及加熱模塊給芯片載具加熱,直到溫度穩定在預先設定的溫度值,加熱溫度范圍為40℃至130℃,芯片載具整體溫度均勻性為±1℃,溫度精度為0.1℃,所述溫度值穩定后,所述處理器再通過加電控制和電流電壓監控模塊對每一顆芯片進行加電,加電電源為恒流或恒壓可切換電源,當電源工作于恒流模式時,其輸出電流范圍為±0~1000mA,電流輸出精度全范圍優于0.1%,當電源工作于恒壓模式時,其輸出電壓范圍為±10V,電壓輸出精度全范圍優于0.1%,處理器間隔固定的時間回讀加載在芯片上的電流值和電壓值及激光器芯片的光功率值,處理器將獲取的所述電流值、電壓值和光功率值通過通訊接口發送給所述上位機;在進行LIV測試流程時,所述處理器通過所述溫度控制和監控模塊控制熱沉及加熱模塊給芯片載具加熱,直到溫度穩定在預先設定的溫度值,加熱溫度范圍為40℃至130℃,芯片載具整體溫度均勻性為±1℃,溫度精度為0.1℃,所述溫度值穩定后,所述處理器再通過所述加電控制和電流電壓監控模塊對每一顆芯片進行步進掃描加電,并間隔固定的時間回讀加載在芯片上的電流值和電壓值及激光器芯片的光功率值,處理器將獲取的所述電流值、電壓值和光功率值通過通訊接口發送給上位機;所述上位機將獲取的所述電流值、電壓值和光功率值進行存儲,并根據獲取的所述電流值、電壓值和光功率值繪制LIV曲線和電流、電壓及光功率隨時間變化的圖形。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,存儲器預先設置老化或LIV測試所需要的條件值,所述條件值為老化或LIV測試所需的溫度條件值、老化或LIV測試加載到激光器芯片上的電流或電壓值。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述條件值是激光器芯片老化測試時長,過流、欠流門限值,過壓、欠壓門限值。
4.一種激光器芯片老化和LIV測試系統,用于執行權利要求1-3任一項所述的方法,其特征在于,所述系統包括上位機、控制模塊、連接模塊、待測試模塊,所述控制模塊包括處理器、通訊接口、條件控制和監控模塊,所述上位機通過通訊接口控制所述處理器進行老化和LIV測試;所述處理器通過所述條件控制和監控模塊對待測試模塊進行調節;所述連接模塊用于連接所述控制模塊和待測試模塊;所述待測試模塊包括熱沉及加熱模塊、待測試芯片組件,所述芯片組件包括芯片載具,所述芯片載具用于裝載多個芯片,所述熱沉及加熱模塊根據處理器的控制對芯片進行加熱,所述芯片載具安裝在所述熱沉及加熱模塊上。
5.根據權利要求4所述的系統,其特征在于,所述條件控制和監控模塊包括溫度控制和監控模塊測量、加電控制和電流電壓監控模塊,所述處理器通過所述溫度控制和監控模塊對所述待測試模塊中的熱沉加熱;所述處理器通過加電控制和電流電壓監控模塊對所述芯片加電。
6.根據權利要求4所述的系統,其特征在于,所述連接模塊包括背板和連接器,所述待測試模塊包括光功率測量模塊,所述光功率測量模塊實時測量芯片的光功率。
7.根據權利要求4所述的系統,其特征在于,所述條件控制模塊還包括光功率監控模塊,所述光功率監控模塊將光功率測量模塊測量的芯片光功率發送到處理器。
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