[發(fā)明專利]一種激光器芯片老化和LIV測試檢測方法、系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011038287.9
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN111880087A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張華;薛銀飛;黃河
• 申請（專利權(quán)）人: 上海菲萊測試技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;H01S3/00
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 黃啟兵

本發(fā)明提供一種激光器芯片老化和LIV測試的檢測方法、系統(tǒng)，處理器根據(jù)上位機(jī)指示進(jìn)行老化和LIV測試;處理器通過控制熱沉及加熱模塊給芯片載具加熱，直到溫度穩(wěn)定在預(yù)先設(shè)定的溫度值，處理器再對每一顆芯片進(jìn)行加電，回讀加載在芯片上的電流值和電壓值及光功率值；在進(jìn)行LIV測試流程時，對加電控制和電流電壓監(jiān)控模塊采用的加電方式是步進(jìn)式掃描，并間隔固定的時間回讀加載在芯片上的電流值和電壓值及激光器芯片的光功率值，處理器將獲取的值通過通訊接口發(fā)送給上位機(jī)；上位機(jī)顯示所獲取的信息；本發(fā)明能提高激光器芯片檢測效率、減少占地資源并能實(shí)現(xiàn)設(shè)備的復(fù)用率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種激光器芯片老化和測試系統(tǒng)、方法。

背景技術(shù)

在對激光器芯片進(jìn)行測試時，通常需要對激光器芯片進(jìn)行長時間加溫加電老化測試，并在激光器芯片老化測試之前和之后需要對激光器芯片進(jìn)行LIV（光強(qiáng)-電流-電壓）掃描測試。現(xiàn)有對激光器光芯片進(jìn)行老化測試和LIV測試的方法為：將激光器芯片夾具裝載進(jìn)LIV測試設(shè)備，進(jìn)行LIV掃描測試。LIV測試完成后，取出激光器芯片，將其裝載進(jìn)老化測試設(shè)備，進(jìn)行長時間的加電加熱老化測試。待老化測試完成，取出激光器芯片，再次將其裝載進(jìn)LIV測試設(shè)備。在現(xiàn)有的激光器芯片測試軟件流程中，需要對激光器芯片進(jìn)行多次轉(zhuǎn)場，每次轉(zhuǎn)場都需要在裝載好芯片后對設(shè)備重新啟動，大大增加了測試時間，降低了測試效率。常用的老化測試設(shè)備可以同時老化數(shù)千個激光器芯片，而LIV測試設(shè)備只能同時測試一個激光器芯片。要完成一批激光器芯片的測試，需要耗費(fèi)大量測試時間。同時分立的設(shè)備帶來了更高的設(shè)備投資，場地占用和測試人員，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。并且現(xiàn)有的老化設(shè)備和測試設(shè)備只適用于特定的激光器或者特定的芯片封裝類型，應(yīng)用場景比較局限。另外現(xiàn)有設(shè)備通常無法在芯片老化過程中實(shí)時監(jiān)控激光器芯片光功率，無法量化評估激光器芯片在長時間老化過程中出現(xiàn)的光功率衰減情況。因此，如何提高芯片檢測效率以及在評估激光器芯片在老化過程中出現(xiàn)的衰退具有重要的研究意義。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種激光器芯片檢測方法、系統(tǒng)，解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，能提高激光器檢測效率，減少檢測設(shè)備占地面積及實(shí)時監(jiān)控芯片的光功率以評估激光器芯片在老化過程中出現(xiàn)的衰退情況。

本發(fā)明保護(hù)一種激光器芯片進(jìn)行老化和LIV測試的檢測方法，處理器根據(jù)上位機(jī)指示進(jìn)行老化和LIV測試;在進(jìn)行老化測試時，所述處理器通過溫度控制和監(jiān)控模塊控制熱沉及加熱模塊給芯片載具加熱，直到溫度穩(wěn)定在預(yù)先設(shè)定的溫度值，加熱溫度范圍為40℃至130℃，芯片載具整體溫度均勻性為±1℃，溫度精度為0.1℃，所述溫度值穩(wěn)定后，所述處理器再通過加電控制和電流電壓監(jiān)控模塊對每一顆芯片進(jìn)行加電，加電電源為恒流或恒壓可切換電源，當(dāng)電源工作于恒流模式時，其輸出電流范圍為±0~1000mA，電流及被測器件端電壓采樣全量程優(yōu)于0.1%，當(dāng)電源工作于恒壓模式時，其輸出電壓范圍為±10V，電壓輸出精度全范圍優(yōu)于0.1%，處理器間隔固定的時間回讀加載在芯片上的電流值和電壓值及激光器芯片的光功率值，處理器將獲取的所述值通過通訊接口發(fā)送給所述上位機(jī)；在進(jìn)行LIV測試流程時，所述處理器通過所述溫度控制和監(jiān)控模塊控制熱沉及加熱模塊給芯片載具加熱，加熱溫度范圍為40℃至130℃，芯片載具整體溫度均勻性為±1℃，溫度精度為0.1℃，直到溫度穩(wěn)定在預(yù)先設(shè)定的溫度值，所述溫度值穩(wěn)定后，所述處理器再通過所述加電控制和電流電壓監(jiān)控模塊對每一顆芯片進(jìn)行步進(jìn)掃描加電，并間隔固定的時間回讀加載在芯片上的電流值和電壓值及激光器芯片的光功率值，處理器將獲取的所述值通過通訊接口發(fā)送給上位機(jī)；所述上位機(jī)將獲取的所述值進(jìn)行存儲，并根據(jù)獲取的所述值繪制LIV曲線和電流、電壓及光功率隨時間變化的圖形。

進(jìn)一步地，存儲器預(yù)先設(shè)置老化或LIV測試所需要的條件值，所述條件值為老化或LIV測試所需的溫度條件值、老化或LIV測試加載到激光器芯片上的電流或電壓值。