[發明專利]一種C-SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法

在審

• 申請號: 202011036109.2
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112198183A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學澤;李靜云
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: G01N23/2251
• 分類號: G01N23/2251;G01N23/2206;G01N23/20091;G01N23/20;G01N23/20008;G01N23/2202
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

本發明涉及一種C?SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法，所述形貌組分檢測方法包括對C?SiC濺射靶材依次進行拋光和噴金，之后進行SEM及EDS檢測。本發明提供的檢測方法，通過對檢測前樣品的合理預處理如拋光和噴金，可以準確的觀察到靶材的微觀結構，獲得準確的EDS結果，EDS計數率可達10000以上。

技術領域

本發明涉及形貌組分檢測領域，具體涉及一種C-SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法。

背景技術

SiC陶瓷因具有高強度、高硬度、抗腐蝕、耐高溫和低密度而被廣泛用于高溫和某些苛刻的環境中，尤其在航空航天飛行器需要承受極高溫度的特殊部位具有很大的潛力。

CN102795871A公開了以低分子液態聚碳硅烷為先驅體，碳纖維預制件為骨架，采用脈沖式加熱的化學液氣相沉積工藝快速制備C/SiC陶瓷基復合材料。其采用脈沖式的加熱方式，可以有效改善化學液氣相沉積工藝中先驅體的滲透過程，使得制備的C/SiC陶瓷基復合材料密度分布均勻且致密度高；其制備得到的C/SiC陶瓷基復合材料的方法具有生產周期短、原料利用率高、生產成本低等優點。

CN110436930A公開了一種高性能納米SiC陶瓷及其制備方法和應用，所述SiC陶瓷是在氮氣氣氛下，將聚碳硅烷先升溫至200-400℃并保溫，然后再升溫至600-1400℃裂解后，將裂解產物球磨、造粒后，在保護氣氛下，加壓10-100MPa，升溫至1700-2200℃進行放電等離子燒結制得。所述納米SiC陶瓷的硬度為30-40GPa，抗彎強度為800-1200MPa，在1200℃下的高溫強度為1000-1300MPa。本發明采用放電等離子燒結前驅體裂解后的非晶SiC，本發明的納米SiC陶瓷致密度高于95-99％，SiC晶粒小于30-100nm，可應用在防彈裝甲或核應用領域中。

CN110550964A公開了一種AlN晶須增強層狀多孔SiC陶瓷及其制備方法，屬于多孔陶瓷技術領域。所述的AlN晶須增強層狀多孔SiC陶瓷采用平行排列的SiC基陶瓷層作為基體，SiC基陶瓷層間存在層狀貫通孔，大量AlN晶須端部粘附在SiC基陶瓷層表面并向層狀貫通孔中伸出。這些AlN晶須相互交叉在層狀貫通孔中形成三維網狀結構，從而能夠提高層狀多孔SiC陶瓷的比表面積，并可以實現對SiC基陶瓷層的有效支撐，增加層狀多孔SiC陶瓷的強度。其公開的技術方案中AlN晶須增強層狀多孔SiC陶瓷的比表面積和壓縮強度明顯增加，能顯著提高層狀多孔SiC陶瓷的使用價值。

在陶瓷的制備過程中，原始材料及其制品的顯微形貌、孔隙大小、晶界和團聚程度等將顯著影響其最后的性能。

C-SiC是一種新型的陶瓷濺射靶材，分析其微觀形貌、成分組成有助于改進靶材的性能、解釋靶材在濺射時出現的問題。因此獲得高質量的SEM照片及EDS元素分析至關重要。

最接近的方法為降低掃描電鏡的電壓及電流進行檢測。然而降低電鏡的電壓及電流以降低荷電效應，但這樣會導致EDS檢測時計數率較低，無法獲得可信的元素成分結果；噴金時間過短則導電性依舊不好，噴金時間過長則鍍膜較厚，覆蓋表面形貌細節。

發明內容

鑒于現有技術中存在的問題，本發明的目的在于提供一種C-SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法，可以準確的觀察到靶材的微觀結構，獲得準確的EDS結果，EDS計數率可達10000以上。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供了一種C-SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法，所述檢測方法包括對C-SiC濺射靶材依次進行拋光和噴金，之后進行SEM及EDS檢測。

本發明提供的檢測方法，通過對檢測前樣品的合理預處理(拋光和噴金)，可以準確的觀察到靶材的微觀結構，獲得準確的EDS結果，EDS計數率可達10000以上。

作為本發明優選的技術方案，所述拋光指利用砂紙或拋光機對C-SiC濺射靶材表面進行拋光處理。