[發明專利]一種C-SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法在審
| 申請號： | 202011036109.2 | 申請日： | 2020-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN112198183A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學澤;李靜云 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/2251 | 分類號： | G01N23/2251;G01N23/2206;G01N23/20091;G01N23/20;G01N23/20008;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人： | 王巖 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 濺射 形貌 組分 檢測 方法 | ||
1.一種C-SiC濺射靶材的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述形貌組分檢測方法包括對C-SiC濺射靶材依次進行拋光和噴金，之后進行SEM及EDS檢測。
2.如權利要求1所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述拋光指利用砂紙或拋光機對C-SiC濺射靶材表面進行拋光處理。
3.如權利要求1或2所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述拋光的終點為表面無明顯劃痕。
4.如權利要求1-3任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述噴金的時間為30-90s。
5.如權利要求1-4任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述噴金中的真空度為0.1-0.3mbar。
6.如權利要求1-5任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述噴金中的電流為5-15mA。
7.如權利要求1-6任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述SEM及EDS檢測中的電壓為15-20kV。
8.如權利要求1-7任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述SEM及EDS檢測中的電流為50-80μA。
9.如權利要求1-8任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述EDS檢測中的計數率為10000以上。
10.如權利要求1-9任一項所述的形貌組分檢測方法，其特征在于，所述形貌組分檢測方法包括對C-SiC濺射靶材依次進行拋光和噴金，之后進行SEM及EDS檢測；
其中，所述拋光指利用砂紙或拋光機對C-SiC濺射靶材表面進行拋光處理；所述拋光的終點為表面無明顯劃痕；所述噴金的時間為30-90s；所述噴金中的真空度為0.1-0.3mbar；所述噴金中的電流為5-15mA；所述SEM及EDS檢測中的電壓為15-20kV；所述SEM及EDS檢測中的電流為50-80μA；所述EDS檢測中的計數率為10000以上。
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