[發明專利]鑄造單晶籽晶制備方法

有效

• 申請號: 202011033536.5
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112144103B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 陳發勤;劉世龍;李易成;李春林;梁學勤
• 申請（專利權）人: 宜昌南玻硅材料有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: C30B11/14
• 分類號: C30B11/14
• 代理公司: 宜昌市三峽專利事務所 42103
• 代理人: 成鋼

一種鑄造單晶籽晶制備方法，將直拉單晶棒的頭部和尾部去除；將直拉單晶棒頭部的切割面定義為頭面，直拉單晶棒尾部的切割面定義為尾面；用金剛筆在所述的頭面上刻“T”字形標識，“T”字的上下左右四個棱線分別為a、b、c和d；從正視于頭面角度看，a、b、c和d構成了正方形，正方形以頭面圓心為基準旋轉X角度，去皮操作后得到單晶方棒；單晶方棒的四個側面分別定義為一號面、二號面、三號面和四號面，使用金剛筆在一號面的左側或右側上刻畫一條豎線作為標記線，將單晶方棒從頭面向尾面橫向切割成若干個等高的單晶籽晶，最后對X單晶籽晶進行清洗。

技術領域

本發明屬于單晶籽晶制備工藝領域，特別涉及一種鑄造單晶籽晶制備方法。

背景技術

現有技術一般是在單晶方棒線切成鑄造單晶籽晶后，再在每塊鑄造單晶籽晶上做標識，此時不容易區分頭部（或叫正面）、尾部（或叫反面）、一號面、二號面、三號面、四號面，不同種類的鑄造單晶籽晶也很容易混，因為每個單晶籽晶為大小形狀相同的方形塊，不易區分頭部和尾部。現有的標記方法是每一個單晶籽晶上做一個標記，例如X單晶籽晶在某一個位置標記“X”，Y單晶籽晶在某一個位置標記“Y”，標記量大，對每個單塊鑄造單晶籽晶進行標示，容易出錯。

鑄造單晶籽晶是采用混合酸（氫氟酸+硝酸）進行清洗，因為混合酸與鑄造單晶籽晶反應劇烈，常常會導致鑄造單晶籽晶表面反應不均勻，也會導致鑄造單晶籽晶之間尺寸偏差較大，用這些尺寸偏差較大的鑄造單晶籽晶生產鑄造單晶硅錠，會嚴重影響鑄造單晶硅錠的質量。

發明內容

鑒于背景技術所存在的技術問題，本發明所提供的鑄造單晶籽晶制備方法，

為了解決上述技術問題，本發明采取了如下技術方案來實現：

一種鑄造單晶籽晶制備方法，包括如下步驟：

S1：將直拉單晶棒的頭部和尾部去除；

S2：將直拉單晶棒頭部的切割面定義為頭面，直拉單晶棒尾部的切割面定義為尾面；用金剛筆在所述的頭面上刻“T”字形標識，“T”字形標識的深度為H，以“T”字形為標準，“T”字的上下左右四個棱線分別為a、b、c和d；從正視于頭面角度看，a、b、c和d構成了正方形，正方形以頭面圓心為基準旋轉X角度，a、b、c和d分別旋轉至a’、b’、c’和d’位置；以a’、b’、c’和d’對應的棱線為基準進行去皮操作，得到單晶方棒；

S3：單晶方棒的四個側面分別定義為一號面、二號面、三號面和四號面，使用金剛筆在一號面的左側或右側上刻畫一條豎線作為標記線，標記線的深度為H，標記線保證在后續的清洗過程中不會被洗掉；

S4：將單晶方棒從頭面向尾面橫向切割成若干個等高的單晶籽晶；

S5：采用步驟S2-S4得到的單晶籽晶定義為X單晶籽晶；標記線所在的一側為一號面，根據標記線左右側的位置判斷頭面和尾面，X單晶籽晶的其它側面以一號面為基準沿順時針方向依次為二號面、三號面和四號面；X單晶籽晶上下面分別為頭面和尾面；

S6：X單晶籽晶進行清洗。

優選的方案中，所述的在步驟S6中，X單晶籽晶清洗過程為：

S6.1：利用高純水和超聲波對X單晶籽晶進行清洗，溫度控制在61-63℃范圍內，時間控制在110-130秒內，洗掉X單晶籽晶表面附著的雜質；

S6.2：利用高純水、超聲波和堿對X單晶籽晶進行清洗，酸堿度標準為PH=14，溫度控制在88-90℃范圍內，時間為98-102秒；

S6.3：再次重復步驟S6.1，洗掉殘留堿；

S6.4：利用熱風進行烘干處理，溫度控制在96-98℃范圍內。

優選的方案中，所述的H的取值范圍為0.01-0.02mm。