[發(fā)明專利]鑄造單晶籽晶制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011033536.5
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112144103B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳發(fā)勤;劉世龍;李易成;李春林;梁學(xué)勤
• 申請（專利權(quán)）人: 宜昌南玻硅材料有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: C30B11/14
• 分類號: C30B11/14
• 代理公司: 宜昌市三峽專利事務(wù)所 42103
• 代理人: 成鋼

1.一種鑄造單晶籽晶制備方法，其特征在于包括如下步驟：

S1：將直拉單晶棒的頭部和尾部去除；

S2：將直拉單晶棒頭部的切割面定義為頭面，直拉單晶棒尾部的切割面定義為尾面；用金剛筆在所述的頭面上刻“T”字形標(biāo)識，“T”字形標(biāo)識的深度為H，以“T”字形為標(biāo)準(zhǔn)，“T”字的上下左右四個棱線分別為a、b、c和d；從正視于頭面角度看，a、b、c和d構(gòu)成了正方形，正方形以頭面圓心為基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)X角度，a、b、c和d分別旋轉(zhuǎn)至a’、b’、c’和d’位置；以a’、b’、c’和d’對應(yīng)的棱線為基準(zhǔn)進(jìn)行去皮操作，得到單晶方棒；

S3：單晶方棒的四個側(cè)面分別定義為一號面、二號面、三號面和四號面，使用金剛筆在一號面的左側(cè)或右側(cè)上刻畫一條豎線作為標(biāo)記線，標(biāo)記線的深度為H，標(biāo)記線保證在后續(xù)的清洗過程中不會被洗掉；

S4：將單晶方棒從頭面向尾面橫向切割成若干個等高的單晶籽晶；

S5：采用步驟S2-S4得到的單晶籽晶定義為X單晶籽晶；標(biāo)記線所在的一側(cè)為一號面，根據(jù)標(biāo)記線左右側(cè)的位置判斷頭面和尾面，X單晶籽晶的其它側(cè)面以一號面為基準(zhǔn)沿順時針方向依次為二號面、三號面和四號面；X單晶籽晶上下面分別為頭面和尾面；

S6：X單晶籽晶進(jìn)行清洗；

X單晶籽晶清洗過程為：

S6.1：利用高純水和超聲波對X單晶籽晶進(jìn)行清洗，溫度控制在61-63℃范圍內(nèi)，時間控制在110-130秒內(nèi)，洗掉X單晶籽晶表面附著的雜質(zhì)；

S6.2：利用高純水、超聲波和堿對X單晶籽晶進(jìn)行清洗，酸堿度標(biāo)準(zhǔn)為PH=14，溫度控制在88-90℃范圍內(nèi)，時間為98-102秒；

S6.3：再次重復(fù)步驟S6.1，洗掉殘留堿；

S6.4：利用熱風(fēng)進(jìn)行烘干處理，溫度控制在96-98℃范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造單晶籽晶制備方法，其特征在于：H的取值范圍為0.01-0.02mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鑄造單晶籽晶制備方法，其特征在于：標(biāo)記線設(shè)置在一號面的左側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鑄造單晶籽晶制備方法，其特征在于：在步驟S2中，a、b、c和d構(gòu)成了正方形旋轉(zhuǎn)角度為Y時，標(biāo)記線的數(shù)量為兩條，則切割得到的單晶籽晶為Y單晶籽晶，X和Y的差值為28°。