[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011032950.4 | 申請日： | 2020-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN113035800A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐善京;金泰煥;宋炫靜;金孝恩;李元一;韓相旭 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/31;H01L23/50;H01L25/18;H01L25/00;H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人： | 李娜;趙莎 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：
封裝基板；
下半導(dǎo)體器件，所述下半導(dǎo)體器件布置在所述封裝基板上并包括多個第一貫通電極；
多個第一下連接凸塊，所述多個第一下連接凸塊布置在所述封裝基板與所述下半導(dǎo)體器件之間，并將所述封裝基板電連接到所述多個第一貫通電極；
連接基板，所述連接基板布置在所述封裝基板上并包括多個第二貫通電極；
多個第二下連接凸塊，所述多個第二下連接凸塊布置在所述封裝基板與所述連接基板之間，并將所述封裝基板電連接到所述多個第二貫通電極；以及
上半導(dǎo)體器件，所述上半導(dǎo)體器件布置在所述下半導(dǎo)體器件上，并電連接到所述多個第一貫通電極和所述多個第二貫通電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述上半導(dǎo)體器件被配置為通過所述多個第二貫通電極接收電力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述多個第二貫通電極中的每個第二貫通電極的第二水平寬度大于所述多個第一貫通電極中的每個第一貫通電極的第一水平寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一水平寬度為1μm至7μm，并且所述第二水平寬度為10μm至20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述多個第二下連接凸塊中的每個第二下連接凸塊的第二水平寬度大于所述多個第一下連接凸塊中的每個第一下連接凸塊的第一水平寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：
多個第一下凸塊焊盤，所述多個第一下凸塊焊盤分別電連接到所述多個第一貫通電極，所述多個第一下連接凸塊分別附接到所述多個第一下凸塊焊盤；以及
多個第二下凸塊焊盤，所述多個第二下凸塊焊盤分別電連接到所述多個第二貫通電極，所述多個第二下連接凸塊分別附接到所述多個第二下凸塊焊盤，
其中，所述多個第二下凸塊焊盤中的每個第二下凸塊焊盤的第二水平寬度大于所述多個第一下凸塊焊盤中的每個第一下凸塊焊盤的第一水平寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：
多個第一上連接凸塊，所述多個第一上連接凸塊將所述上半導(dǎo)體器件電連接到所述多個第一貫通電極；以及
多個第二上連接凸塊，所述多個第二上連接凸塊將所述上半導(dǎo)體器件電連接到所述多個第二貫通電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：
第一模塑層，所述第一模塑層圍繞所述下半導(dǎo)體器件的側(cè)表面和所述連接基板的側(cè)表面；以及
第二模塑層，所述第二模塑層圍繞所述第一模塑層的側(cè)表面并覆蓋所述上半導(dǎo)體器件的側(cè)表面的至少一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：
第一再分布絕緣層，所述第一再分布絕緣層覆蓋所述下半導(dǎo)體器件的下表面，并覆蓋所述連接基板的下表面，所述下半導(dǎo)體器件的所述下表面與所述下半導(dǎo)體器件的面對所述上半導(dǎo)體器件的上表面相對，所述連接基板的所述下表面與所述連接基板的面對所述上半導(dǎo)體器件的上表面相對；以及
第一再分布圖案，所述第一再分布圖案的至少一部分布置在所述第一再分布絕緣層中，所述第一再分布圖案將所述多個第一下連接凸塊電連接到所述多個第一貫通電極并將所述多個第二下連接凸塊電連接到所述多個第二貫通電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述下半導(dǎo)體器件包括：
基板，所述基板包括面對所述上半導(dǎo)體器件的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；以及
半導(dǎo)體器件層，所述半導(dǎo)體器件層布置在所述基板的所述第一表面上。
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