[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 202011032950.4
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN113035800A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 徐善京;金泰煥;宋炫靜;金孝恩;李元一;韓相旭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/31;H01L23/50;H01L25/18;H01L25/00;H01L21/52;H01L21/56
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

一種半導體封裝件包括：封裝基板；下半導體器件，所述下半導體器件布置在所述封裝基板上并包括第一貫通電極；第一下連接凸塊，所述第一下連接凸塊布置在所述封裝基板與所述下半導體器件之間，并將所述封裝基板電連接到所述第一貫通電極；連接基板，所述連接基板布置在所述封裝基板上并包括第二貫通電極；第二下連接凸塊，所述第二下連接凸塊布置在所述封裝基板與所述連接基板之間，并將所述封裝基板電連接到所述第二貫通電極；以及上半導體器件，所述上半導體器件布置在所述下半導體器件上，并電連接到所述第一貫通電極和所述第二貫通電極。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年12月24日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0174286的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

與本公開一致的設備、器件、方法和制造物品涉及半導體封裝件，并且更具體地，涉及具有改善的散熱特性的半導體封裝件。

背景技術

通常，通過對半導體芯片執行封裝工藝來形成半導體封裝件，半導體芯片是通過對晶片執行各種半導體工藝來形成的。近來，已經將各種半導體芯片封裝在一個半導體封裝件中，并且半導體芯片彼此電連接，從而電連接的半導體芯片作為系統而運行。當半導體芯片運行時，可能產生過多的熱，因此，半導體封裝件的性能會劣化。

發明內容

一方面在于提供一種具有改善的散熱特性的半導體封裝件。

根據示例性實施例的一方面，提供了一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：封裝基板；下半導體器件，所述下半導體器件布置在所述封裝基板上并包括多個第一貫通電極；多個第一下連接凸塊，所述多個第一下連接凸塊布置在所述封裝基板與所述下半導體器件之間，并將所述封裝基板電連接到所述多個第一貫通電極；連接基板，所述連接基板布置在所述封裝基板上并包括多個第二貫通電極；多個第二下連接凸塊，所述多個第二下連接凸塊布置在所述封裝基板與所述連接基板之間，并將所述封裝基板電連接到所述多個第二貫通電極；以及上半導體器件，所述上半導體器件布置在所述下半導體器件上，并電連接到所述多個第一貫通電極和所述多個第二貫通電極。

根據示例性實施例的另一方面，提供了一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：下半導體器件，所述下半導體器件包括多個第一貫通電極；連接基板，所述連接基板包括多個第二貫通電極；上半導體器件，所述上半導體器件堆疊在所述下半導體器件的上表面和所述連接基板的上表面上，所述上半導體器件電連接到所述多個第一貫通電極并電連接到所述多個第二貫通電極；以及再分布結構，所述再分布結構布置在所述下半導體器件的下表面和所述連接基板的下表面上，所述再分布結構電連接到所述多個第一貫通電極并電連接到所述多個第二貫通電極。