[發明專利]一種光刻圖形的制造方法與制造系統

在審

• 申請號: 202011032944.9
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112255884A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 翁文杰
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/30
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

本發明提出一種光刻圖形的制造方法及制造系統，包括：在基底上形成一光刻膠；對所述光刻膠進行曝光處理，以在所述光刻膠上形成第一區和第二區；采用顯影液對所述光刻膠進行多次顯影處理，以使所述顯影液去除所述第一區或所述第二區，以形成所述光刻圖形；其中，所述顯影處理包括：向所述光刻膠噴涂所述顯影液；所述顯影液與所述第一區或所述第二區反應。其中，向所述光刻膠噴涂所述顯影液的過程至少包括第一噴涂過程，第二噴涂過程和第三噴涂過程；其中，在每次所述顯影處理之后，還包括去除與所述第一區或所述第二區反應的所述顯影液。本發明提出的光刻圖形的制造方法可以避免光刻圖形出現形貌缺陷。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別涉及一種光刻圖形的制造方法與制造系統。

背景技術

半導體集成電路制造中，光刻工藝和刻蝕工藝常反復進行以在待處理基底上形成半導體圖形。通常的光刻是這樣進行的：首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠，即光阻層；然后將涂布有光刻膠的硅片曝露于某種光源下，如紫外光、電子束或者X-射線，對光阻層進行選擇性曝光；接著經過顯影工藝，仍保留在硅片上光阻層就形成了光刻圖形，保護著其所覆蓋的區域。

光刻工藝的精確度對芯片的良率和品質起到至關重要的作用，但是隨著集成電路工藝中的關鍵尺寸的縮小，現有的顯影工藝形成的光刻圖形在形貌和尺寸上容易產生缺陷。

發明內容

鑒于上述現有技術的缺陷，本發明提出一種光刻圖形的制造方法與制造系統，以減少光刻圖形的形貌缺陷。

為實現上述目的及其他目的，本發明提成一種光刻圖形的制造方法，包括：

在基底上形成一光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光處理，以在所述光刻膠上形成第一區和第二區；

采用顯影液對所述光刻膠進行多次顯影處理，以使所述顯影液去除所述第一區或所述第二區，以形成所述光刻圖形；

其中，所述顯影處理包括：

向所述光刻膠噴涂所述顯影液；

所述顯影液與所述第一區或所述第二區反應；

其中，向所述光刻膠噴涂所述顯影液的過程至少包括第一噴涂過程，第二噴涂過程和第三噴涂過程；

其中，在每次所述顯影處理之后，還包括去除與所述第一區或所述第二區反應的所述顯影液。

進一步地，所述第一噴涂過程的噴涂時間小于所述第三噴涂過程的噴涂時間，所述第三噴涂過程的噴涂時間小于第二過程的噴涂時間。

進一步地，在所述第一噴涂過程，所述第二噴涂過程及所述第三噴涂過程中，所述基底處于旋轉狀態。

進一步地，在所述第一噴涂過程中，所述晶基底的轉速為第一轉速；在所述第二噴涂過程中，所述基底的轉速為第二轉速；在所述第三噴涂過程中，所述基底的轉速為第三轉速；所述第一轉速等于所述第二轉速，所述第二轉速大于所述第三轉速。

進一步地，還包括第四噴涂過程，所述第四噴涂過程的噴涂時間大于所述第二噴涂過程的噴涂時間。

進一步地，所述顯影液與所述第一區或所述第二區反應的過程包括：

至少兩次反應階段，所述反應階段包括反應過程和間隙過程；

其中，在所述反應過程中，所述基底處于靜止狀態；在所述間隙過程中，所述基底處于旋轉狀態。

進一步地，所述反應過程的時間大于所述間隙過程的時間。

進一步地，通過旋轉所述基底，以去除與所述第一區或所述第二區反應的所述顯影液。

進一步地，所述光刻膠包括正膠或負膠。