[發明專利]一種光刻圖形的制造方法與制造系統

在審

• 申請號: 202011032944.9
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112255884A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 翁文杰
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/30
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

1.一種光刻圖形的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成一光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光處理，以在所述光刻膠上形成第一區和第二區；

采用顯影液對所述光刻膠進行多次顯影處理，以使所述顯影液去除所述第一區或所述第二區，以形成所述光刻圖形；

其中，所述顯影處理包括：

向所述光刻膠噴涂所述顯影液；

所述顯影液與所述第一區或所述第二區反應；

其中，向所述光刻膠噴涂所述顯影液的過程至少包括第一噴涂過程，第二噴涂過程和第三噴涂過程；

其中，在每次所述顯影處理之后，還包括去除與所述第一區或所述第二區反應的所述顯影液。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一噴涂過程的噴涂時間小于所述第三噴涂過程的噴涂時間，所述第三噴涂過程的噴涂時間小于第二過程的噴涂時間。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一噴涂過程，所述第二噴涂過程及所述第三噴涂過程中，所述基底處于旋轉狀態。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一噴涂過程中，所述晶基底的轉速為第一轉速；在所述第二噴涂過程中，所述基底的轉速為第二轉速；在所述第三噴涂過程中，所述基底的轉速為第三轉速；所述第一轉速等于所述第二轉速，所述第二轉速大于所述第三轉速。

5.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，還包括第四噴涂過程，所述第四噴涂過程的噴涂時間大于所述第二噴涂過程的噴涂時間。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述顯影液與所述第一區或所述第二區反應的過程包括：

至少兩次反應階段，所述反應階段包括反應過程和間隙過程；

其中，在所述反應過程中，所述基底處于靜止狀態；在所述間隙過程中，所述基底處于旋轉狀態。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述反應過程的時間大于所述間隙過程的時間。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過旋轉所述基底，以去除與所述第一區或所述第二區反應的所述顯影液。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻膠包括正膠或負膠。

10.一種光刻圖形的制造系統，其特征在于，包括：

旋涂單元，在基底上形成光刻膠；

曝光單元，對所述光刻膠進行曝光處理，以在所述光刻膠上形成第一區和第二區；

顯影單元，采用顯影液對所述光刻膠進行多次顯影處理，以使所述顯影液去除所述第一區或所述第二區，以形成所述光刻圖形。