[發(fā)明專利]一種陶瓷電容器芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011028673.X
• 申請(qǐng)日: 2020-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112017863A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳色江;彭少雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市德?tīng)杽?chuàng)電子有限公司
• 主分類號(hào): H01G4/38
• 分類號(hào): H01G4/38;H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 蔣學(xué)超

本發(fā)明公開(kāi)了一種陶瓷電容器芯片，包括呈扁平狀的介質(zhì)本體；介質(zhì)本體包括第一面，以及與第一面相對(duì)設(shè)置的第二面；第一面涂覆有兩個(gè)以上的第一電極，第一面上的所有第一電極呈左右并排設(shè)置，第二面涂覆有與第一面的所有第一電極位置相對(duì)應(yīng)的第二電極；相鄰兩個(gè)第一電極或者第二電極之間的介質(zhì)本體上設(shè)有鏤空槽或者凹槽。本發(fā)明只采用了一片介質(zhì)本體便實(shí)現(xiàn)了雙Y或多Y結(jié)構(gòu)的陶瓷電容器芯片，從而解決了后工序諸多制造問(wèn)題。另外，通過(guò)在相鄰兩個(gè)第一電極或者第二電極之間的介質(zhì)本體上設(shè)有鏤空槽或者凹槽，從而避免了某一電容器失效而影響到其他電容器的正常工作的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電容器領(lǐng)域，更具體地說(shuō)是一種安規(guī)陶瓷電容器芯片。

背景技術(shù)

在IEC 60384-14標(biāo)準(zhǔn)中，安規(guī)電容器有X電容、Y電容與RC組件等安規(guī)部件，而我們通常所講的安規(guī)陶瓷電容器就是Y電容。一般情況下，Y電容是跨接在電力線(L或N)與地線之間時(shí)，可以防止電器產(chǎn)品漏電，避免使用者在接觸電器金屬部件時(shí)被電擊，發(fā)生危及人身安全的事故。

目前安規(guī)陶瓷電容器的安全等級(jí)已經(jīng)非常高了(如Y1電容必須承受8KV浪涌沖擊，耐電壓要達(dá)到4KVAC)，而且其制造技術(shù)已經(jīng)非常成熟，但在使用中還是會(huì)出現(xiàn)失效的異常狀況。Y電容失效后會(huì)短路，導(dǎo)致電器漏電，當(dāng)使用者在觸摸電器(金屬部件)時(shí)，會(huì)被電擊，發(fā)生危及人身安全的事故。故雙Y或多Y結(jié)構(gòu)的安規(guī)陶瓷電容應(yīng)運(yùn)而生。

雙Y或多Y結(jié)構(gòu)的安規(guī)陶瓷電容器的工作原理是將兩個(gè)或兩個(gè)以上Y電容串聯(lián)在一起。這樣做一方面可以提升Y電容的耐壓與絕緣性能，另一方面當(dāng)某一Y電容器在浪涌沖擊下失效時(shí)，另一Y電容器可以起到防護(hù)作用。而目前的雙Y或多Y結(jié)構(gòu)的安規(guī)陶瓷電容器，是將二個(gè)或二個(gè)以上的芯片(方形)焊接在一起而構(gòu)成，這種工藝導(dǎo)致后工序制造工藝繁瑣、效率低下、生產(chǎn)周期長(zhǎng)、成本高的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種陶瓷電容器芯片。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種陶瓷電容器芯片，包括呈扁平狀的介質(zhì)本體；所述介質(zhì)本體包括第一面，以及與第一面相對(duì)設(shè)置的第二面；所述第一面涂覆有兩個(gè)以上的第一電極，第一面上的所有第一電極呈左右并排設(shè)置，所述第二面涂覆有與第一面的所有第一電極位置相對(duì)應(yīng)的第二電極；相鄰兩個(gè)第一電極或者第二電極之間的介質(zhì)本體上設(shè)有鏤空槽或者凹槽。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述介質(zhì)本體為長(zhǎng)方體形狀或者橢圓形狀；多個(gè)所述第一電極或者第二電極沿介質(zhì)本體的長(zhǎng)度方向均勻分布。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述介質(zhì)本體采用陶瓷材質(zhì)制成。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述第一電極的形狀為圓形或者方形，所述第二電極的形狀與第一電極的形狀相同。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述鏤空槽或者凹槽的截面形狀為長(zhǎng)方形或者橢圓形，且鏤空槽或者凹槽的長(zhǎng)度方形與介質(zhì)本體的寬度方形相平行。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述鏤空槽或者凹槽的長(zhǎng)度小于所述介質(zhì)本體的寬度。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述鏤空槽或者凹槽的寬度為0.5mm-10mm，長(zhǎng)度不小于第一電極直徑或邊長(zhǎng)的40％。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述介質(zhì)本體的厚度為0.5mm-12mm。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：本發(fā)明在介質(zhì)本體的第一面上的第一電極與第二面上的與其位置相對(duì)應(yīng)的第二電極構(gòu)成一個(gè)電容器，因此，在介質(zhì)本體上就存在了多個(gè)電容器，所以，本發(fā)明只采用了一片介質(zhì)本體便實(shí)現(xiàn)了雙Y或多Y結(jié)構(gòu)的陶瓷電容器芯片，從而解決了后工序諸多制造問(wèn)題。另外，通過(guò)在相鄰兩個(gè)第一電極或者第二電極之間的介質(zhì)本體上設(shè)有鏤空槽或者凹槽，從而避免了某一電容器失效而影響到其他電容器的正常工作的問(wèn)題。