[發(fā)明專利]透明超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜及其制備方法和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011027442.7
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112291867A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡建財;楊小華;羅浩
• 申請（專利權(quán)）人: 福建晶烯新材料科技有限公司
• 主分類號: H05B3/12
• 分類號: H05B3/12;H05B3/34;H05B3/03
• 代理公司: 亳州速誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34157
• 代理人: 杜家波

1.一種超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜，其特征在于，其包括以下重量的組分：

氯化銻0.3~0.6份、

氯化錫5~10份、

氯化亞錫4~8份、

氧化錫3~9份、

氧化亞錫4~8份、

氧化硼0.2~0.5份、

氧化鉍0.3~0.8份、

有機(jī)溶劑5~30份。

2.如權(quán)利要求1所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜，其特征在于：所述氯化銻為二水三氯化銻；

或/和

所述氯化錫為五水四氯化錫；

或/和

所述有機(jī)溶劑包括乙醇5~15份、乙酸5~9份、乙酸甲酯2~6份。

3.如權(quán)利要求1所述的超晶格結(jié)構(gòu)n型半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：

S1將氧化亞錫、氧化錫、五水四氯化錫、有機(jī)溶劑加入到蒸餾水中，充分?jǐn)嚢杈鶆蚝螅^濾得到固體和過濾液；

S2將氯化銻、鹽酸、氯化亞錫、有機(jī)溶劑、乙酸甲酯、氧化硼和氧化鉍加入到過濾液中得到電熱膜處理液；

S3將所得的電熱膜處理液渡在基體上，在基體的表面上得到電熱膜。

4.如權(quán)利要求3所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于：步驟S4中，其采用隧道爐式電熱膜生產(chǎn)系統(tǒng)進(jìn)行鍍膜，其包括鍍膜機(jī)、軌道式移動噴槍（21）裝置和管道式除霧裝置，所述鍍膜機(jī)包括高溫爐體、送料裝置，所述送料裝置與高溫爐體的入口相連；

所述軌道式移動噴槍（21）裝置的噴槍（21）可延伸至鍍膜機(jī)的高溫爐體的爐腔內(nèi)；

所述管道式除霧裝置，其包括依次連接的多孔式抽霧管道（11）、抽風(fēng)機(jī)（12）、冷卻管道（13）、低溫密閉室（14）和廢水處理池（15）；多孔式抽霧管道（11）與爐體底部（16）連接，且多孔式抽霧管道（11）的通孔與鍍膜爐體的內(nèi)腔連通；冷卻管道（13）和低溫密閉室（14）內(nèi)均設(shè)有霧化噴頭（17）。

5.如權(quán)利要求4所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于：所述的冷卻管道（13）的外側(cè)纏繞有冷凝管，所述低溫密閉室（14）的進(jìn)氣口設(shè)置在低溫密閉室（14）的上端，并且出氣口設(shè)置在低溫密閉室（14）的下端。

6.如權(quán)利要求4所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于：所述軌道式移動噴槍（21）裝置包括主體組件和噴槍（21），所述噴槍（21）可相對主體組件來回活動。

7.如權(quán)利要求4所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于：所述主體組件包括固定底座，所述噴槍（21）固定連接有連桿（22），所述連桿（22）和固定底座滑動連接，所述固定底座包括滑軌（232），滑軌（232）滑動連接有滑塊（233），滑塊（233）與連桿（22）固定連接，所述滑塊（233）通過動力組件驅(qū)動滑動。

8.如權(quán)利要求7所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于：所述主體組件還包括儲液桶（24）和抽液泵（25），所述噴槍（21）的進(jìn)料口通過抽液泵（25）與儲液桶（24）連接；所述噴槍（21）和抽液泵（25）連接的管道上設(shè)有液體流量控制器（27）；噴槍（21）的進(jìn)料口還連接有進(jìn)氣通道，在進(jìn)氣通道上設(shè)有氣壓控制器（28）。

9.如權(quán)利要求4-8任一項(xiàng)所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜的制備方法，其特征在于：所述噴槍（21）為鈦合金制成。

10.一種權(quán)利要求1所述的超晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米電熱膜在電極中的應(yīng)用。