[發明專利]透明超晶格結構半導體納米電熱膜及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 202011027442.7 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN112291867A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發明(設計)人: | 蔡建財;楊小華;羅浩 | 申請(專利權)人: | 福建晶烯新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B3/12 | 分類號: | H05B3/12;H05B3/34;H05B3/03 |
| 代理公司: | 亳州速誠知識產權代理事務所(普通合伙) 34157 | 代理人: | 杜家波 |
| 地址: | 364000 福建省龍巖市新*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 晶格 結構 半導體 納米 電熱 及其 制備 方法 應用 | ||
本發明涉及電熱膜技術領域,尤其涉及一種透明超晶格結構n型半導體納米電熱膜及其制備方法和應用。電熱膜的配方為:氯化銻、氯化錫、氯化亞錫、氧化錫、氧化亞錫、氧化硼、氧化鉍、有機溶劑。制備方法為:將氧化亞錫、氧化錫、五水四氯化錫、有機溶劑加入到蒸餾水中,充分攪拌均勻后,過濾得到固體和過濾液;將氯化銻、鹽酸、氯化亞錫、有機溶劑、乙酸甲酯、氧化硼和氧化鉍加入到過濾液中得到電熱膜處理液,渡在基體上得到電熱膜。本發明的透明超晶格結構n型半導體納米電熱膜,透光率可在85%以上,并且膜的表面能夠均勻發熱,在加熱過程不會轉化光能,其電熱效率高達98.77%以上;其比普通電爐絲綜合節能45%~60%。
技術領域
本發明涉及電熱膜技術領域,尤其涉及一種透明超晶格結構半導體納米電熱膜及其制備方法和應用。
背景技術
納米半導體電熱膜是新一代的發熱材料。它的發熱方式不同于傳統金屬電阻絲。它零感抗,純電阻發熱,提高了功率因素。并且以面狀發熱打破了傳統的線狀發熱形態,熱傳遞效果好,電熱轉換效率高:80%~97%,具有較好的節能優勢。目前,納米半導體電熱膜液所采用的配方,使所制得的納米電熱膜效果不穩定。
在公開號為CN201710399122.6的專利中,其公開了一種納米電熱膜膜液配方,其采用四氯化錫、三氯化銻、石墨烯、無水乙醇、氯化鈷的組合,其對于電熱效率的效果不穩定,其適用于熱水方面的電加熱的電器產品,對于納米陶瓷、微晶玻璃及石英玻璃作為基體的材料不具有優勢,且透光率受到石墨烯等影響,透光率較低。
目前,高溫鍍膜工藝不成熟所采用的鍍膜噴槍系統,其不耐熱,無法克服高溫和腐蝕性等難題,導致無法大批量工業化生產,研發成本高昂。成品鍍膜不均勻,穩定性不高,容易導致產品損壞。
發明內容
(一)要解決的技術問題
鑒于現有技術的上述缺點、不足,本發明提供一種透明超晶格結構n型半導體納米電熱膜,其可以以非金屬材質為基體,在其上面形成的電熱膜,透明率85%以上,且電熱效率穩定。
相應的,本發明還提供上述透明超晶格結構n型半導體納米電熱膜的制備方法。
(二)技術方案
為了達到上述目的,本發明采用的主要技術方案包括:
本發明提供一種超晶格結構n型半導體納米電熱膜,其包括以下重量的組分:
氯化銻0.3~0.6份、
氯化錫5~10份、
氯化亞錫4~8份、
氧化錫3~9份、
氧化亞錫4~8份、
氧化硼0.2~0.5份、
氧化鉍0.3~0.8份、
有機溶劑5~30份。
進一步地,氯化銻為二水三氯化銻;
或/和
氯化錫為五水四氯化錫;
或/和
有機溶劑包括乙醇5~15份、乙酸5~9份、乙酸甲酯2~6份。
本發明另一方面還提供一種超晶格結構n型半導體納米電熱膜的制備方法,其包括以下步驟:
S1將氧化亞錫、氧化錫、五水四氯化錫、有機溶劑加入到蒸餾水中,充分攪拌均勻后,過濾得到固體和過濾液;
S2將氯化銻、鹽酸、氯化亞錫、有機溶劑、乙酸甲酯、氧化硼和氧化鉍加入到過濾液中得到電熱膜處理液;
S3將所得的電熱膜處理液渡在基體上,在基體的表面上得到電熱膜。
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