[發明專利]半導體結構在審

申請號：	202011026433.6	申請日：	2020-09-25
公開（公告）號：	CN112563240A	公開（公告）日：	2021-03-26
發明（設計）人：	傅安教;黃柏翔;徐瑋澤;薛琇文;張盟昇	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L23/525	分類號：	H01L23/525;H01L21/768
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	聶慧荃;閆華
地址：	中國臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體結構
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【權利要求書】：

1.一種半導體結構，包括：

一第一薄層，包括一第一介電層以及多個第一金屬特征，其中上述第一金屬特征包括一第一區域中的一第一組第一金屬特征，以及包括一第二區域中的一第二組第一金屬特征，上述第二區域沿著一第一方向與上述第一區域分隔，其中上述第一組第一金屬特征具有一第一圖案密度，而上述第二組第一金屬特征具有一第二圖案密度，上述第二圖案密度大于上述第一圖案密度；

一第二薄層，被設置于上述第一薄層上，上述第二薄層包括接觸上述第一組第一金屬特征的多個第一通孔；以及

一第三薄層，被設置于上述第二薄層上，上述第三薄層包括一熔絲元件，其中上述熔絲元件具有在上述第一區域中的一第一厚度，上述第一厚度小于在上述第二區域中的一第二厚度。

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