[發(fā)明專利]確定晶片掰片位置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011025214.6
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112103233B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳春龍;馬金峰;唐勇
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L23/544
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨

本公開提供了一種確定晶片掰片位置的方法，包括以下步驟：S1，設(shè)置第一晶片和模板，并在第一晶片上設(shè)置定位邊，在模板上分別設(shè)置定位邊和定位孔；S2，設(shè)置標(biāo)示圖；S3，將第一晶片放在標(biāo)示圖上，并在標(biāo)示圖做出用于后續(xù)待掰制晶片定位的定位標(biāo)記；S4，將待掰制晶片待放在標(biāo)示圖上，利用步驟S3中的定位標(biāo)記對待掰制晶片進(jìn)行定位，并在待掰制晶片標(biāo)示定位點(diǎn)；S5，將模板放在待掰制晶片上，使待掰制晶片的定位點(diǎn)與模板的定位孔重合，進(jìn)而得到晶片掰片位置。本公開確定晶片掰片位置的方法的操作簡單，且能精確地確定每片晶片的掰片位置，提高晶片產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體襯底制造領(lǐng)域，尤其涉及一種確定晶片掰片位置的方法。

背景技術(shù)

砷化鎵作為一種重要的III-V族直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，因其電子遷移率高、禁帶寬度大、消耗功率低等特性在微電子和光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。砷化鎵在微波器件、發(fā)光器件方面展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿Γ貏e是目前紅光LED和LD器件領(lǐng)域，砷化鎵仍為主流襯底材料。

在加工過程中，因?yàn)楦鞣N原因(例如客戶對定位邊的特殊要求；有缺陷大尺寸晶片/晶體改制加工小尺寸晶片……)需要使用掰片方法改制晶片，有些情況需要根據(jù)晶片缺陷確定合格區(qū)域，在這種狀況下，需要利用晶棒頭尾片確定晶片合格區(qū)域，并在其他晶片標(biāo)示出來。如果要保證每片晶片合格，需要精確地確定每片晶片的掰片位置。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于晶片加工過程的需要，本公開的一目的在于提供一種確定晶片掰片位置的方法，其能精確地確定每片晶片的掰片位置。

在一些實(shí)施例中，本公開提供了一種確定晶片掰片位置的方法，包括以下步驟：S1：設(shè)置第一晶片和模板，在第一晶片上設(shè)置定位邊，在模板上設(shè)置定位邊和定位孔，利用模板在第一晶片上標(biāo)記出掰片區(qū)域和掰制中心；S2：設(shè)置標(biāo)示圖，標(biāo)示圖的長度和寬度大于待掰制晶片的直徑，標(biāo)示圖中的最小刻度為1mm；S3：將第一晶片放在標(biāo)示F上，并利用第一晶片上的定位邊對第一晶片進(jìn)行定位，利用掰制中心在標(biāo)示圖做出用于后續(xù)待掰制晶片定位的定位標(biāo)記，并將第一晶片從標(biāo)示圖上取下；S4：將待掰制晶片待放在標(biāo)示圖上，利用步驟S3中的定位標(biāo)記對待掰制晶片進(jìn)行定位，并在待掰制晶片上標(biāo)示定位點(diǎn)；S5：將模板放在待掰制晶片上，并通過模板上的定位邊進(jìn)行定位，同時使待掰制晶片的定位點(diǎn)與模板的定位孔重合，沿著模板的邊緣在待掰制晶片標(biāo)記出待掰片區(qū)域，得到晶片掰片位置。

在一些實(shí)施例中，第一晶片與待掰制晶片的尺寸相同，第一晶片的掰片區(qū)域與待掰片區(qū)域尺寸相同，模板與待掰片區(qū)域尺寸相同。

在一些實(shí)施例中，在步驟S1中，第一晶片上有第一定位邊和第二定位邊，模板上有第三定位邊和第四定位邊；在模板的中心挖圓孔作為定位孔。

在一些實(shí)施例中，在步驟S3中，第一定位邊與標(biāo)示圖的第一坐標(biāo)軸重合，第二定位邊與第二坐標(biāo)軸重合，完成第一晶片的定位。

在一些實(shí)施例中，在步驟S3中，穿過掰制中心畫一條與第一坐標(biāo)軸平行的第一平行線；穿過掰制中心畫一條與第二坐標(biāo)軸平行的第二平行線；第一平行線延伸到標(biāo)示圖上得到第一延長線和第二延長線；第二平行線延伸到標(biāo)示圖上得到第三延長線和第四延長線。

在一些實(shí)施例中，在步驟S4中，待掰制晶片的第五定位邊與第一坐標(biāo)軸重合，待掰制晶片的第六定位邊與第二坐標(biāo)軸重合，將第一延長線和第二延長線連接為一條線段，同時將第三延長線和第四延長線連接為一條線段，兩條線段的交點(diǎn)即為待掰制晶片標(biāo)示定位點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，在步驟S5中，模板的第三定位邊與第一坐標(biāo)軸平行，并將模板的圓孔與定位點(diǎn)重合，用筆沿著模板的邊緣在待掰制晶片標(biāo)記出待掰片區(qū)域。

在一些實(shí)施例中，模板上的定位孔為直徑1-3mm的圓孔。

在一些實(shí)施例中，標(biāo)示圖的長度和寬度比待掰制晶片的直徑至少大10mm