[發明專利]一種發光面板、顯示裝置和發光面板的制作方法

在審

• 申請號: 202011024920.9
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112133843A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 梅文海;張宜馳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 張佳

本發明公開了一種發光面板、顯示裝置和發光面板的制作方法，以改善現有技術的發光器件存在載流子注入不平衡的問題。所述發光面板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板一側的至少兩層電極層，位于兩層所述電極層之間的發光層；至少一層所述電極層在面向所述發光層的一側具有界面修飾層，所述界面修飾層包括：稠環結構，連接于所述稠環結構背離所述發光層一側的第一帶電基團，連接于所述稠環結構面向所述發光層一側的第二帶電基團，所述第一帶電基團和所述第二帶電基團的帶電性不同，以使所述界面修飾層具有偶極矩，以調節與所述界面修飾層接觸的所述電極層的功函數。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種發光面板、顯示裝置和發光面板的制作方法。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器具有低能耗、自發光、寬視角及響應速度快等優點，是當今顯示器研究領域的熱點之一。

量子點發光二極管顯示器(Quantum Dots Light Emitting Doide Display,QLED)是基于有機發光顯示器的基礎上發展起來的一種新型顯示技術。而兩者存在的區別是QLED里的發光層為量子點層，它的原理是電子/空穴通過電子/空穴傳輸層注入到量子點層，電子和空穴在量子點層中復合發光。與有機發光二極管顯示器件(OLED)相比，QLED具有發光峰窄，色彩飽和度高，色域寬等優點。但現有技術的發光器件存在載流子注入不平衡的問題。

發明內容

本發明提供一種發光面板、顯示裝置和發光面板的制作方法，以改善現有技術的發光器件存在載流子注入不平衡的問題。

本發明實施例提供一種發光面板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板一側的至少兩層電極層，位于兩層所述電極層之間的發光層；

至少一層所述電極層在面向所述發光層的一側具有界面修飾層，所述界面修飾層包括：稠環結構，連接于所述稠環結構背離所述發光層一側的第一帶電基團，連接于所述稠環結構面向所述發光層一側的第二帶電基團，所述第一帶電基團和所述第二帶電基團的帶電性不同，以使所述界面修飾層具有偶極矩，以調節與所述界面修飾層接觸的所述電極層的功函數。

在一種可能的實施方式中，所述電極層包括陰極層，所述陰極層在面向所述發光層的一側具有所述界面修飾層，所述界面修飾層與所述發光層之間設置有電子傳輸層；

所述陰極層的功函數高于所述電子傳輸層的LUMO能級，且所述陰極層的功函數與所述電子傳輸層的LUMO能級之差的絕對值大于第一閾值時，所述界面修飾層被配置為降低所述陰極層的功函數，所述第一帶電基團為帶負電的基團，所述第二帶電基團為帶正電的基團；

或者，所述陰極層的功函數低于所述電子傳輸層LUMO能級，且所述陰極層的功函數與所述電子傳輸層的LUMO能級之差的絕對值大于第二閾值時，所述界面修飾層被配置為提高所述陰極層的功函數，所述第一帶電基團為帶正電的基團，所述第二帶電基團為帶負電的基團。

在一種可能的實施方式中，所述電極層包括陽極層，所述陽極層在面向所述發光層的一側具有所述界面修飾層，所述界面修飾層與所述發光層之間設置有空穴注入層；

所述陽極層的功函數高于所述空穴注入層的HOMO能級，且陽極層的功函數與空穴注入層的HOMO能級之差的絕對值大于第三閾值時，所述界面修飾層被配置為降低所述陽極層的功函數，所述第一帶電基團為帶負電的基團，所述第二帶電基團為帶正電的基團；

或者，所述陽極層的功函數低于所述空穴注入層的HOMO能級，且陽極層的功函數與空穴注入層的HOMO能級之差的絕對值大于第四閾值時，所述界面修飾層被配置為提高所述陽極層的功函數，所述第一帶電基團為帶正電的基團，所述第二帶電基團為帶負電的基團。