[發(fā)明專利]一種發(fā)光面板、顯示裝置和發(fā)光面板的制作方法

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• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112133843A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅文海;張宜馳
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 張佳

1.一種發(fā)光面板，其特征在于，包括：襯底基板，位于所述襯底基板一側(cè)的至少兩層電極層，位于兩層所述電極層之間的發(fā)光層；

至少一層所述電極層在面向所述發(fā)光層的一側(cè)具有界面修飾層，所述界面修飾層包括：稠環(huán)結(jié)構(gòu)，連接于所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)背離所述發(fā)光層一側(cè)的第一帶電基團(tuán)，連接于所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)面向所述發(fā)光層一側(cè)的第二帶電基團(tuán)，所述第一帶電基團(tuán)和所述第二帶電基團(tuán)的帶電性不同，以使所述界面修飾層具有偶極矩，以調(diào)節(jié)與所述界面修飾層接觸的所述電極層的功函數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述電極層包括陰極層，所述陰極層在面向所述發(fā)光層的一側(cè)具有所述界面修飾層，所述界面修飾層與所述發(fā)光層之間設(shè)置有電子傳輸層；

所述陰極層的功函數(shù)高于所述電子傳輸層的LUMO能級，且所述陰極層的功函數(shù)與所述電子傳輸層的LUMO能級之差的絕對值大于第一閾值時，所述界面修飾層被配置為降低所述陰極層的功函數(shù)，所述第一帶電基團(tuán)為帶負(fù)電的基團(tuán)，所述第二帶電基團(tuán)為帶正電的基團(tuán)；

或者，所述陰極層的功函數(shù)低于所述電子傳輸層LUMO能級，且所述陰極層的功函數(shù)與所述電子傳輸層的LUMO能級之差的絕對值大于第二閾值時，所述界面修飾層被配置為提高所述陰極層的功函數(shù)，所述第一帶電基團(tuán)為帶正電的基團(tuán)，所述第二帶電基團(tuán)為帶負(fù)電的基團(tuán)。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述電極層包括陽極層，所述陽極層在面向所述發(fā)光層的一側(cè)具有所述界面修飾層，所述界面修飾層與所述發(fā)光層之間設(shè)置有空穴注入層；

所述陽極層的功函數(shù)高于所述空穴注入層的HOMO能級，且所述陽極層的功函數(shù)與所述空穴注入層的HOMO能級之差的絕對值大于第三閾值時，所述界面修飾層被配置為降低所述陽極層的功函數(shù)，所述第一帶電基團(tuán)為帶負(fù)電的基團(tuán)，所述第二帶電基團(tuán)為帶正電的基團(tuán)；

或者，所述陽極層的功函數(shù)低于所述空穴注入層的HOMO能級，且陽極層的功函數(shù)與空穴注入層的HOMO能級之差的絕對值大于第四閾值時，所述界面修飾層被配置為提高所述陽極層的功函數(shù)，所述第一帶電基團(tuán)為帶正電的基團(tuán)，所述第二帶電基團(tuán)為帶負(fù)電的基團(tuán)。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)具有第一對稱軸和第二對稱軸，其中，所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)在沿所述第一對稱軸方向的長度小于所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)沿所述第二對稱軸方向的長度；所述第一帶電基團(tuán)、所述第二帶電基團(tuán)分別位于所述第一對稱軸的不同側(cè)；

或者，所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)僅具有第三對稱軸；所述第一帶電基團(tuán)、所述第二帶電基團(tuán)分別位于所述第三對稱軸的不同側(cè)。

5.如權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述電子傳輸層的材質(zhì)為金屬氧化物，所述第二帶電基團(tuán)為親水性基團(tuán)；或者，所述空穴注入層的材質(zhì)為金屬氧化物，所述第二帶電基團(tuán)為親水性基團(tuán)。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，與所述界面修飾層接觸的所述電極層的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜；所述第一帶電基團(tuán)為親水性基團(tuán)。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第一帶電基團(tuán)包括酚羥基或羧基與堿性基團(tuán)反應(yīng)后的基團(tuán)。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第二帶電基團(tuán)包括氨基與酸性基團(tuán)反應(yīng)后的基團(tuán)。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第二帶電基團(tuán)還包括：連接所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)與所述第二帶電基團(tuán)的碳原子，以及連接于氮原子的R基團(tuán)；

所述R基團(tuán)為以下之一或組合：

氫原子；

甲基；

烷基。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)為包括單個苯環(huán)或者多個苯環(huán)的稠環(huán)芳烴。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述稠環(huán)結(jié)構(gòu)為以下之一：