[發(fā)明專利]靜電卡盤裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011024818.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112133664A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 光娟亮;申愛科;戎艷天 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 卡盤 裝置 半導(dǎo)體 工藝設(shè)備 | ||
本發(fā)明公開一種靜電卡盤裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備,所述靜電卡盤裝置包括基部、覆蓋體和至少一個(gè)絕緣單體,所述基部具有承載面,所述覆蓋體具有相背設(shè)置的第一表面和第二表面,所述覆蓋體通過所述第一表面覆設(shè)于所述承載面,所述覆蓋體開設(shè)有至少一個(gè)貫通所述第一表面和所述第二表面的安裝空間;每個(gè)所述絕緣單體均設(shè)置于一個(gè)所述安裝空間內(nèi),每個(gè)所述絕緣單體用于單獨(dú)支撐待加工件;每個(gè)所述絕緣單體均內(nèi)置有電極部,所述電極部用于與供電電源電連接。上述方案能夠解決目前的靜電卡盤裝置存在的陶瓷板損耗率高、更換成本高的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種靜電卡盤裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
背景技術(shù)
目前,在半導(dǎo)體晶圓的加工領(lǐng)域中,等離子體設(shè)備是利用等離子體實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的工藝處理(例如刻蝕、沉積等),在處理過程中,晶圓通常被固定在靜電卡盤裝置上。在現(xiàn)有技術(shù)中,靜電卡盤裝置中用于承載晶圓的陶瓷板在表面設(shè)有多個(gè)支撐單元(例如凸臺(tái)等),晶圓可放置于支撐單元上;但是,現(xiàn)有的陶瓷板為整體結(jié)構(gòu),如果有支撐單元損壞,則不能對(duì)晶圓進(jìn)行固定,進(jìn)而需要更換整個(gè)陶瓷板,因此現(xiàn)有的靜電卡盤裝置會(huì)存在陶瓷板損耗率高、更換成本高的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開一種靜電卡盤裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備,以解決目前的靜電卡盤裝置存在的陶瓷板損耗率高、更換成本高的問題。
為了解決上述問題,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
第一方面,本發(fā)明提供一種靜電卡盤裝置,其包括基部、覆蓋體和至少一個(gè)絕緣單體,所述基部具有承載面,所述覆蓋體具有相背設(shè)置的第一表面和第二表面,所述覆蓋體通過所述第一表面覆設(shè)于所述承載面,所述覆蓋體開設(shè)有至少一個(gè)貫通所述第一表面和所述第二表面的安裝空間;
每個(gè)所述絕緣單體均單獨(dú)設(shè)置于一個(gè)所述安裝空間內(nèi),且每個(gè)所述絕緣單體用于單獨(dú)支撐待加工件;每個(gè)所述絕緣單體均內(nèi)置有電極部,所述電極部用于與供電電源電連接。
第二方面,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,其包括供電電源、射頻電源以及前述的靜電卡盤裝置,所述靜電卡盤裝置設(shè)置于所述半導(dǎo)體工藝腔室內(nèi),所述供電電源和所述射頻電源均與所述靜電卡盤裝置的電極部電連接。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果:
在本發(fā)明公開的靜電卡盤裝置中,每個(gè)絕緣單體均內(nèi)置有電極部,在對(duì)電極部施加電壓時(shí),電極部和絕緣單體上的待加工件之間會(huì)產(chǎn)生靜電力,因此就能夠?qū)⒋庸ぜ皆诮^緣單體上,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了對(duì)待加工件的固定;同時(shí),由于每個(gè)絕緣單體均設(shè)置于一個(gè)安裝空間內(nèi),也即絕緣單體作為單獨(dú)的個(gè)體設(shè)置于安裝空間中,當(dāng)其損壞后,可直接更換掉該損壞的絕緣單體,就能夠確保靜電卡盤裝置的正常使用。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明公開的靜電卡盤裝置在絕緣單體受損后,不需要如現(xiàn)有技術(shù)更換整個(gè)陶瓷板,無疑能夠降低陶瓷板的損耗率,進(jìn)而達(dá)到節(jié)約成本的目的。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本發(fā)明的一部分,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開的靜電卡盤裝置的部分結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為關(guān)于圖1的分解結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例公開的靜電卡盤裝置的部分結(jié)構(gòu)軸測(cè)剖視圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例公開的絕緣單體的剖視圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例公開的靜電卡盤裝置的部分結(jié)構(gòu)剖視圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例公開的靜電卡盤裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7為本發(fā)明實(shí)施例公開的饋電模組的結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖標(biāo)記說明:
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





