[發(fā)明專利]圖像傳感器、成像模組和電子裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011024446.X
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112135028A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳偉標
• 申請（專利權(quán)）人: OPPO(重慶)智能科技有限公司
• 主分類號: H04N5/225
• 分類號: H04N5/225
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 邵泳城

本申請公開了一種圖像傳感器、成像模組和電子裝置。圖像傳感器包括感光層和設(shè)置在感光層上方的多個納米磚單元；納米磚單元包括多個納米磚，多個納米磚間隔排布，納米磚具有亞波長尺寸，多個納米磚被配置為使照射在納米磚單元上的入射光束能夠被會聚以被感光層接收。如此，間隔排布的多個亞波長尺寸的納米磚，亞波長的納米磚可以對照射在納米磚上的入射光束進行相位調(diào)節(jié)，從而能夠?qū)⒄丈湓诩{米磚單元上的入射光束會聚到感光層上，以使入射光束被感光層接收，從而提升感光層接收的光通量，以提升感光層的光電轉(zhuǎn)換效率，以有效提升圖像傳感器的成像質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電子設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像傳感器、成像模組和電子裝置。

背景技術(shù)

在相關(guān)技術(shù)中，為了提高成像質(zhì)量，照射在圖像傳感器上的光線需要通過會聚后再被圖像傳感器的感光層接收，因此，如何提高光線的會聚效率以達到更好的成像效果成為了技術(shù)人員研究的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施方式公開了一種圖像傳感器、成像模組和電子裝置。

本申請實施方式的圖像傳感器包括感光層和設(shè)置在所述感光層上方的多個納米磚單元，所述納米磚單元包括多個納米磚，多個所述納米磚間隔排布，多個所述納米磚具有亞波長尺寸，多個所述納米磚被配置為使照射在所述納米磚單元上的入射光束能夠被會聚以被所述感光層接收。

本申請實施方式的成像模組包括以上任一實施方式所述的圖像傳感器。

本申請實施方式的電子裝置包括以上任一實施方式所述的成像模組。

上述圖像傳感器、成像模組和電子裝置中，間隔排布的多個亞波長尺寸的納米磚，亞波長的納米磚可以對照射在納米磚上的入射光束進行相位調(diào)節(jié)，從而能夠?qū)⒄丈湓诩{米磚單元上的入射光束會聚到感光層上，以使入射光束被感光層接收，從而提升感光層接收的光通量，以提升感光層的光電轉(zhuǎn)換效率，以有效提升圖像傳感器的成像質(zhì)量。

本申請的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。

附圖說明

本申請的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本申請實施方式的圖像傳感器的平面示意圖；

圖2是本申請實施方式的納米磚單元和對應(yīng)的像素的立體拆解示意圖；

圖3是本申請實施方式的納米磚的放大示意圖；

圖4是本申請實施方式的多個納米磚單元對入射光束的會聚示意圖；

圖5是本申請實施方式的電子裝置的平面示意圖。

主要元件符號說明：

圖像傳感器100、感光層10、像素11、R像素111、G像素112、B像素113、納米磚單元20、納米磚21、基底層30、基底單元31、濾光層40、成像模組200、電子裝置1000。

具體實施方式

下面詳細描述本申請的實施方式，所述實施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施方式是示例性的，僅用于解釋本申請，而不能理解為對本申請的限制。

在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本申請中的具體含義。