[發明專利]圖像傳感器、成像模組和電子裝置在審
| 申請號： | 202011024446.X | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112135028A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 吳偉標 | 申請（專利權）人： | OPPO(重慶)智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/225 | 分類號： | H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 邵泳城 |
| 地址： | 401120 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 成像 模組 電子 裝置 | ||
1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：
感光層；和
設置在所述感光層上方的多個納米磚單元，所述納米磚單元包括多個納米磚，多個所述納米磚間隔排布，多個所述納米磚具有亞波長尺寸，多個所述納米磚被配置為使照射在所述納米磚單元上的入射光束能夠被會聚以被所述感光層接收。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述納米磚為非晶硅納米磚。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述感光層包括陣列排布的多個像素，每個所述像素至少對應設置一個所述納米磚單元，所述納米磚單元覆蓋所述像素。
4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述納米磚包括底面，所述底面包括相互垂直的第一邊和第二邊，所述感光層包括相互垂直的第一軸線和第二軸線，所述第一軸線和所述第二軸線均與所述圖像傳感器的光軸垂直，所述第一邊與所述第一軸線的夾角為每個所述納米磚的轉角滿足以下關系式：
其中，r為所述納米磚的幾何中心和與所述納米磚相對應的所述像素的幾何中心之間的距離，f′為所述納米磚單元的焦距，λ為所述入射光束的波長。
5.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，多個所述像素包括多個R像素、多個G像素和多個B像素，所述納米磚為長方體結構；
其中，設置在所述R像素上方的所述納米磚長度為400nm至490nm、寬度為180nm至260nm、高度為700nm至780nm；
設置在所述G像素上方的所述納米磚的長度為390nm至460nm、寬度為160nm至240nm、高度為460nm至520nm；
設置在所述B像素上方的所述納米磚的長度為380nm至450nm、寬度為210nm至290nm、高度為580nm至630nm。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，多個所述納米磚單元呈矩形陣列排布，每個所述納米磚單元的多個所述納米磚的幾何中心呈矩形陣列排布。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其特征在于，每個所述納米磚單元的相鄰兩個所述納米磚的幾何中心之間的距離為580nm至700nm。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包括基底層，所述基底層位于所述感光層和所述納米磚單元之間，多個所述納米磚單元設置在所述基底層上。
9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述基底層由石英玻璃制成。
10.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述基底層包括多個基底單元，每個所述基底單元上對應設置有一個所述納米磚，所述納米磚的幾何中心與所述基底單元的幾何中心重合。
11.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包括濾光層，所述濾光層設置在所述感光層和所述納米磚單元之間，或者設置在所述納米磚單元上方，所述濾光層用于對進入所述感光層的光線進行過濾。
12.一種成像模組，其特征在于，包括權利要求1-11任一項所述的圖像傳感器。
13.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求12所述的成像模組。
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