[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 202011024428.1 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112563203A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 楊思齊;簡鶴年;丁振庭;林建智;李建志;林士豪;李宗鴻;葉致鍇;黃才育;蕭柏鎧 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 閆華;傅磊 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
形成由第一半導體材料形成的一第一鰭部以及由不同于該第一半導體材料的第二半導體材料形成的一第二鰭部于一基底上；
形成一半導體蓋層于該第一鰭部及該第二鰭部上；以及
在露出該半導體蓋層的至少一部分的同時，于一第一溫度下對該半導體蓋層進行退火。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一鰭部包括一p型通道區，其中該第二鰭部包括一n型通道區，其中該第一半導體材料包括鍺，其中該第二半導體材料包括硅。
3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該半導體蓋實質上由硅組成。
4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一溫度約在800℃至1050℃之間。
5.一種半導體裝置的制造方法，包括：
形成包括硅及鍺的一第一鰭部于一基底上；
形成包括硅的一第二鰭部于該基底上；
形成一硅蓋層于第一鰭部及第二鰭部上；
在露出至少一部分該硅蓋層的同時，于一第一溫度及一第一壓力下進行一第一退火；
形成源極/漏極特征部件于該第一鰭部及該第二鰭部的源極/漏極區上；
形成一柵極結構于該第一鰭部及該第二鰭部的通道區上方；以及在形成該柵極結構之后，在未露出該硅蓋層的任何部分的同時，于一第二溫度及一第二壓力下進行一第二退火。
6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一鰭部中的鍺含量約在20％至60％之間。
7.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該柵極結構包括一高k值介電層、一功函數層及一金屬填充層。
8.一種半導體裝置的制造方法，包括：
形成包括硅及鍺的一第一鰭部于一基底上；
形成包括硅的一第二鰭部于該基底上；
形成一硅蓋層于該第一鰭部及該第二鰭部上方；以及
緊接在形成該硅蓋層之后，于約在800℃至1050℃之間的溫度下進行一第一退火。
9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中形成該硅蓋層包括使用原子層沉積沉積硅。
10.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中形成該硅蓋層包括外延生長硅于該第一鰭部及該第二鰭部上方。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
