[發明專利]集成電路裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202011024385.7
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112563193A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 李安璿;廖峻宏;吳振豪;李勝男;蔡騰群;趙皇麟
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;C09G1/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李琛;黃艷

本公開涉及一種集成電路裝置的制造方法。本公開還涉及一半導體基板，具有組成均勻的金屬，以及具有此金屬與一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨劑以及第一胺基堿的第一漿料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨劑以及第二胺基堿的第二漿料研磨嵌入式表面。第二研磨劑與第一研磨劑不同。第二胺基堿與第一胺基堿不同。此金屬與此氧化物在第一漿料中分別具有第一移除速率與第二移除速率，以及在第二漿料中分別具有第三移除速率與第四移除速率。第一移除速率對第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率對第四移除速率的比例為約1：0.5至約1：2。

技術領域

本公開涉及一種集成電路裝置的制造方法，特別涉及一種CMP工藝。

背景技術

化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)也稱為化學 機械研磨(chemical mechanical polishing)，為一種結合化學與機械機制的表 面研磨工藝。在傳統的CMP工藝中，在存在研磨劑(abrasive)與腐蝕性化學 漿料(corrosive chemicalslurry)的情況下，將基板壓在研磨墊上，同時在工藝 期間保持研磨墊與基板之間的相對運動。此工藝移除基板的表面上的材料， 并且將一些不規則的形貌(topography)變得平整。結果，基板變得更平坦或 平整，且通常更適合進行后續的工藝步驟。CMP在許多半導體制造工藝中 都是必需的。然而，在現今的CMP工藝中經常使用的漿料組合物并非對于 所有基板材料都有效。因此，盡管現有的漿料組合物通常已經足以滿足其 預期目的，但在各個方面都有不盡人意的處。

發明內容

本發明實施例提供一種方法，此方法包括接收一半導體基板，其具有 在第一表面上露出的金屬材料，第一表面具有金屬材料的實質上均勻的材 料組成。此方法也包括接收一第一漿料，其包括第一研磨劑成分以及第一 胺基堿性成分，以及以第一漿料研磨第一表面上露出的金屬材料，直到露 出第二表面。第二表面包括金屬材料以及圍繞金屬材料的氧化材料。再者， 此金屬材料在第一漿料中具有第一移除速率，以及此氧化材料在第一漿料中具有第二移除速率。此方法還包括接收一第二漿料，其包括第二研磨劑 成分及第二胺基堿性成分。第二研磨劑成分與第一研磨劑成分不同，且第 二胺基堿性成分與第一胺基堿性成分不同。此外，金屬材料在第二漿料中 具有第三移除速率，且氧化材料在第二漿料中具有第四移除速率。此方法 額外的包括以第二漿料研磨在第二表面上露出的金屬材料與氧化材料。第 一移除速率對第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率對第四移 除速率的比例為約1：0.5至約1：2。

本發明實施例提供一種方法，此方法包括接收一半導體裝置，其具有 第一表面與第二表面。第一表面為頂面，此頂面包括暴露于其上的導電材 料；以及第二表面為嵌入式表面，此嵌入式表面包括導電材料及介電材料。 此方法亦包括選擇第一研磨漿料，以實現在第一研磨漿料中的導電材料的 第一研磨速率以及在第一研磨漿料中的介電材料的第二研磨速率。第一研 磨速率遠超過第二研磨速率。此方法還包括選擇第二研磨漿料，以實現在 第二研磨漿料中的導電材料的第三研磨速率以及在第二研磨漿料中的介電 材料的第四研磨速率。第三研磨速率與第四研磨速率匹配。此方法另外包 括以第一研磨漿料研磨第一表面，直到露出第二表面；以及以第二研磨漿 料研磨第二表面。